减少潜在于半导体器件中的限制焊球金属化分层和破裂的底部填充材料

摘要

一种电子结构包括通过导电凸块和限制焊球金属化(BLM)耦合至基板的电子器件。具有填料颗粒的底部填充材料设置在电子器件和基板之间的空间中。填料颗粒的重量百分比为至少约60％。至少90wt％填料颗粒的颗粒尺寸小于约2μm，和/或所述填料颗粒涂覆有机偶联剂。一旦底部填充材料完全固化，则它的热膨胀系数不大于30PPM/℃，且其玻璃转变温度为至少100℃，以及其在电子器件的边缘处到电子器件的钝化层、基板和电子器件的附着，使得电子结构通过标准化测试，而限制焊球金属化没有分层。

主权项

1.一种底部填充材料，包括：填料颗粒，其中在所述底部填充材料中所述填料颗粒的重量百分比为至少约60％，其中至少90wt％所述填料颗粒的颗粒尺寸小于约2μm，和/或所述填料颗粒涂覆有机偶联剂，其中所述底部填充材料一旦完全固化的热膨胀系数不大于30PPM/℃，其中如果所述底部填充材料暴露到高达110℃的温度不大于5分钟，所述底部填充材料的粘性增加不大于20％，其中如果所述底部填充材料暴露到180℃以下的温度至少20分钟，则所述底部填充材料的交联密度变为至少50％或者所述底部填充材料不流动，其中如果所述底部填充材料暴露到180℃以下的温度小于3小时，则变得完全固化，和其中所述底部填充材料一旦完全固化的玻璃态转变温度为至少100℃。