晶片级尺寸封装的切割方法

摘要

本发明提供了一种半导体组件封装的分离方法，属于半导体组件封装领域。所述方法包括：在晶片的基板背面涂一层光环氧化物(photo epoxy)层，以标记所要切割的切割线。然后，沿着上述光环氧化物层中的记号蚀刻上述基板。使用一般美工刀将上述面板切割成为单一封装。本发明提供的半导体组件封装的分离方法不仅可以避免每个晶粒的边缘粗糙，并且可以降低切割程序的成本。

主权项

1.一种用于自一晶片尺寸封装的基板上分离IC封装的方法，其特征在于，包括：在该基板的第一表面形成一缓冲层于，其中该缓冲层具有纹路标示该每一IC封装；蚀刻该晶片尺寸封装组件的该基板，沿着该纹路因此产生开口；以及切割该IC封装，通过机械力由该第一表面或第二表面沿着一切割线切割。