发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置及其制造方法,可提高安装衬底和密封树脂的可靠性。本发明的半导体装置(10A)包括如下结构:安装衬底(11),其周边部具有台阶部(15);第一导电图案(12)及第二导电图案(16),在安装衬底(11)的表面及背面形成;半导体元件(13),其被固定在安装衬底(11)上,和第一导电图案(12)电连接;密封树脂,覆盖安装衬底(11)表面及台阶部(15),密封半导体元件(13)。
申请公布号 CN100336207C 申请公布日期 2007.09.05
申请号 CN200410031999.2 申请日期 2004.03.31
申请人 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 发明人 三田清志
分类号 H01L23/12(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L23/28(2006.01);H01L21/48(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/50(2006.01);H05K1/03(2006.01) 主分类号 H01L23/12(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 李贵亮;杨梧
主权项 1、一种半导体装置,其包括:由树脂构成的安装衬底,其周边部具有台阶部;导电图案,其在所述安装衬底的表面形成;半导体元件,其被固定在所述安装衬底上,和所述导电图案电连接;密封树脂,覆盖所述安装衬底表面及所述台阶部,密封所述半导体元件,所述导电图案延伸到所述台阶部。
地址 日本大阪府