GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法

摘要

一种化合物半导体结构，包括位于支撑半导体结构(7)上的镓氧化物的第一层(8)，从而与之形成界面。在第一层上设置Ga-Gd氧化物的第二层(9)。GaAs基支撑半导体结构可以是GaAs基异质结构，如至少部分完成的半导体器件(例如金属氧化物场效应晶体管(430)、异质结双极晶体管(310)或半导体激光器)。按照这样的方式，由于介电结构由紧接着Ga-Gd氧化物层的Ga₂O₃层形成，提供了同时在氧化物-GaAs界面具有低缺陷密度和具有低氧化物漏电流密度的介电层结构。Ga₂O₃层用于形成与GaAs基支撑半导体结构的高质量界面，同时Ga-Gd氧化物提供低氧化物漏电流密度。

主权项

1.一种化合物半导体结构，包括：GaAs基支撑半导体结构；位于支撑半导体结构的表面上从而与之形成界面的三氧化二镓构成的第一层，以及设置在第一层上的由Ga-Gd氧化物构成的第二层。