半导体制程设备之晶圆外环

摘要

一种半导体制程设备之晶圆外环包含一环状本体，且于该环状本体上设有涡流产生结构。该涡流产生结构包含一多层阶梯结构且该多层阶梯结构之一阶梯表面之粗糙度大于其它阶梯表面之粗糙度。该多层阶梯结构包含一第一斜面及一第一表面，且该第一表面经喷砂处理，其粗糙度较佳地系介于40至60微米之间。该晶圆外环之材质可为矽、石英、氧化钇或陶瓷。特而言之，本发明系藉由该多层阶梯结构及该粗糙表面引起反应流体在该晶圆外环之粗糙表面形成涡旋气垫而降低微粒附着于该晶圆外环上。