发明名称 记忆装置及用以降低静态随机存取记忆体漏电流的系统
摘要 本发明揭示一种可降低漏电流的记忆装置。记忆装置包括用以储值的至少一记忆单元以及至少一开关模组,耦接至记忆单元,用以在记忆单元不同操作模式下,产生不同电位的一操作电压。当记忆单元被存取时,操作电压为一第一电位,而当其未被存取时,操作电压为一低于第一电位的第二电位,藉以降低记忆单元的漏电流。
申请公布号 TW200731471 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW095137535 申请日期 2006.10.12
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林子贵;赖逢时
分类号 H01L21/8244(2006.01) 主分类号 H01L21/8244(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号