| 发明名称 | 单片射频电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种单片射频(RF)电路以及一种制造该单片RF电路的方法。单片RF电路包括基础基底、滤波部分和开关部分。所述滤波部分包括：第一支撑层和第二支撑层，形成在所述基础基底上；第一气隙，形成在所述第一支撑层和第二支撑层之间；第一电极，形成在所述第二支撑层和所述第一气隙上；第一压电层，形成在所述第一支撑层和第一电极上；第二电极，形成在所述第一压电层上。所述开关部分包括：第三支撑层，与所述第二支撑层相邻；第二气隙，形成在所述第二支撑层和第三支撑层之间；第一开关电极，形成在所述第二气隙和第三支撑层上；第二压电层，形成在所述第一开关电极上。 | ||
| 申请公布号 | CN101017839A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200610165656.4 | 申请日期 | 2006.12.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 宋寅相;权相旭;金哲秀;朴允权 |
| 分类号 | H01L27/20(2006.01);H01L21/82(2006.01);H03H9/02(2006.01);H03H9/70(2006.01);H03H9/54(2006.01) | 主分类号 | H01L27/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;李友佳 |
| 主权项 | 1、一种单片射频电路，包括：基础基底；滤波部分，包括：第一支撑层和第二支撑层，形成在所述基础基底上；第一气隙，形成在所述第一支撑层和第二支撑层之间；第一电极，形成在所述第二支撑层和所述第一气隙上；第一压电层，形成在所述第一支撑层和第一电极上；第二电极，形成在所述第一压电层上；开关部分，包括：第三支撑层，形成在所述基础基底上，与所述第二支撑层相邻；第二气隙，形成在所述第二支撑层和第三支撑层之间；第一开关电极，形成在所述第二气隙和第三支撑层上；第二压电层，形成在所述第一开关电极上，其中，所述开关部分将从外部源输入的射频信号切换。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 | ||