| 发明名称 | 场发射辅助微放电器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种场发射纳米结构(18)，其辅助微放电器件的工作。该场发射纳米结构被集成到微放电器件中或被定位在微放电器件的电极(14，16，36，38)的附近。与没有场发射纳米结构的其他相同的器件相比，该场发射纳米结构降低了工作和启动电压，同时也增加了微放电器件的辐射输出。 | ||
| 申请公布号 | CN101019200A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200580030825.7 | 申请日期 | 2005.07.12 |
| 申请人 | 伊利诺伊大学受托管理委员会 | 发明人 | 朴晟镇;J·加里·伊登;朴璟虎 |
| 分类号 | H01J1/62(2006.01);H01J1/02(2006.01) | 主分类号 | H01J1/62(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1、一种微放电器件，包括：含有放电介质的微放电凹腔(10，30)；接触所述放电介质的阴极(14，36，38)；与所述阴极电隔离且相对于所述阴极和放电介质设置的的阳极(16，36，38)，从而当激励施加到所述阳极和阴极时所述阳极和所述阴极激发从放电介质的发射；设置在所述阴极上或其附近的场发射纳米结构(18)。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||