| 发明名称 | 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管及制备方法 | ||
| 摘要 | 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4－20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a－SiN<SUB>x</SUB>薄膜，薄膜厚度在40－100nm之间，在a－SiN<SUB>x</SUB>薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，其中以ITO为阳极的一端为光出射端。 | ||
| 申请公布号 | CN101017873A | 申请公布日期 | 2007.08.15 |
| 申请号 | CN200710020068.6 | 申请日期 | 2007.02.09 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 黄锐;陈坤基;钱波;韩培高;李伟;徐骏;王祥;马忠元;黄信凡 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人 | 汤志武;王鹏翔 |
| 主权项 | 1、掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，其特征是在电阻率为4-20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a-SiNx薄膜，薄膜厚度在40-100nm之间，在a-SiNx薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||