发明名称 |
熔体注入法生长近化学比铌酸锂晶体系统及其工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的生长,特别是用熔体注入法生长的系统及其工艺。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔,结晶出来的固体成分与熔体成分不一致,难以得到成分均匀的晶体。本发明提供一种采用熔体注入法,系统包括晶体生长炉、供料炉、回路调节器、中频电源、工控计算机和配套软件等7大部分:在晶体生长中,判断晶体生长量和供料炉注入熔融原料量之间的平衡,使注入生长坩埚的熔融原料量与晶体的生长量保持平衡,从而使晶体生长坩埚中原料的成分保持恒定;本发明的有益效果:具有加料连续性好、晶体成分波动小,光学均匀性好以及自动化程度高等优点,设备比较简单,有利于产业化生产,也可以用来进行其它类似非同成分共熔晶体的生长。 |
申请公布号 |
CN1330798C |
申请公布日期 |
2007.08.08 |
申请号 |
CN200410019454.X |
申请日期 |
2004.05.31 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
孙军;孔勇发;张玲;许京军;阎文博;黄自恒;刘士国;李兵;陈绍林;李剑韬 |
分类号 |
C30B15/00(2006.01);C30B29/30(2006.01) |
主分类号 |
C30B15/00(2006.01) |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
1.一种熔体注入法生长近化学比铌酸锂晶体系统,系统包括晶体生长炉、供料炉、2个可控硅控制器、3个回路调节器、中频电源(31)、工控计算机(32)和配套软件7大部分:晶体生长炉部分包括有电机(1)、带动下面的丝杠(2)和籽晶杆(3)构成晶体生长的提拉系统,籽晶杆从坩埚(23)中的熔体(5)中拉制晶体(4),坩埚下面是热电偶(8),它在坩埚外的保温材料(6)中,坩埚外围是加热用的感应线圈(7),感应线圈(7)与中频电源连接,保温材料下面是力传感器(9);供料炉部分包括有电机(10)、带动下面的丝杠(11)和拉杆(12)构成供料的提拉系统,拉杆从坩埚(24)中的熔体(14)中向下推动模拟体(13),坩埚外围是加热用的硅钼棒感应线圈(16),坩埚下面是热电偶(18),它们均置于坩埚外的保温材料(17)中;回路调节器(30)通过热电偶(8)和力传感器(9)采集温度和重量偏差信号,输出信号连接中频电源(31),工控计算机(32)与其通过串行通讯连接,并控制其运行,从而控制晶体生长;回路调节器(27)与可控硅单元(26)、热电偶(18)连接,采集并控制供料炉的温度,工控计算机(32)通过串行通讯与回路调节器(27)相连,并控制回路调节器(27);回路调节器(29)与可控硅单元(28)、热电偶(22)连接,采集并控制导管(19)的温度,工控计算机通过串行通讯与回路调节器(29)相连,并控制回路调节器(29);电源(25)供电给可控硅单元(26)、可控硅单元(28)和中频电源(31);工控计算机(32)内置运动控制卡和步进电机驱动器,分别与电机(1)和电机(2)连接,通过工控计算机(32)可以控制晶体(4)提拉速度和模拟体(13)下降速度;工控计算机(32)采用自动控制软件,控制软件对整个晶体生长过程进行自动控制;其特征在于:晶体生长炉和供料炉之间,用导管(19)连接,导管的一端连在供料坩埚(24)上,另一端和晶体生长坩埚(23)相连,供料坩埚中的熔体可以通过导管流入到晶体生长坩埚中,导管的外面有加热体(20)和保温材料(21)。 |
地址 |
300071天津市卫津路94号 |