发明名称 | 磁记录介质的制造方法和制造设备 | ||
摘要 | 一种磁记录介质的制造方法和制造设备,能够有效地制造离散型磁记录介质,同时确实防止分隔的记录元件的退化等。磁记录介质的制造设备(40)包括:记录层处理装置(42),用于通过在形成有连续记录层的磁记录介质的中间物(10)中以平面方向的微细间隔形成多个沟槽,将连续记录层分成多个分隔的记录元件;非磁性元件填充装置(48),用于将非磁性元件填充到分隔的记录元件之间的沟槽中;平坦化装置(50),用于使分隔的记录元件和非磁性元件的表面平坦化;保护层形成装置(56),用于在分隔的记录元件和非磁性元件上形成保护层;和真空保持装置(56),用于容纳记录层处理装置(42)、非磁性元件填充装置(48)、平坦化装置(50)和保护层形成装置(52),以使中间物(10)的周围保持于真空条件下。 | ||
申请公布号 | CN1328712C | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
申请号 | CN200480000193.5 | 申请日期 | 2004.03.02 |
申请人 | TDK股份有限公司 | 发明人 | 服部一博;高井充;诹访孝裕 |
分类号 | G11B5/855(2006.01) | 主分类号 | G11B5/855(2006.01) |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 经志强;潘培坤 |
主权项 | 1.一种磁记录介质的制造方法,包括:记录层处理步骤,其通过在来自磁记录介质制造工序的中间物中、在平面方向以其间的微小间距形成多个沟槽,其中该磁记录介质通过在基板表面的顶部上形成连续记录层而制成,将所述连续记录层分隔为多个分隔的记录元件;非磁体填充步骤,用于利用非磁体填充所述分隔的记录元件之间的所述沟槽;和保护层形成步骤,用于形成保护层,该保护层保护所述分隔的记录元件和所述非磁体,其中:在围绕所述中间物的环境维持在真空状态的情况下进行所述记录层处理步骤、所述非磁体填充步骤和所述保护层形成步骤。 | ||
地址 | 日本国东京都 |