| 摘要 |
Eine Wafer-Verarbeitungsvorrichtung wird hergestellt durch Aufbringen einer Schichtelektrode auf die Oberfläche eines Basissubstrats, wobei die Struktur dann mit einer schützenden Beschichtungsfilmschicht überzogen wird, die mindestens eines der folgenden Elemente umfasst: ein Nitrid, Carbid, Carbonitrid oder Oxinitrid von Elementen, die ausgewählt sind aus einer Gruppe, die aus B, Al, Si, Ga, hochschmelzenden Hartmetallen, Übergangsmetallen besteht, und Kombinationen davon. Die Schichtelektrode weist einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE) auf, der dem CTE der darunter liegenden Basissubstratschicht und ebenso dem CTE der schützenden Beschichtungsschicht dicht angepasst ist. |
