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Es werden Verfahren zur Ausbildung von Transistoren und Anordnungen derselben offenbart. Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel umfasst eine Halbleiteranordnung, welche ein Werkstück, ein über dem Werkstück angeordnetes Gate-Dielektrikum und eine dünne, über dem Gate-Dielektrikum angeordnete Schicht von leitendem Material aufweist. Eine Schicht von halbleitendem Material ist über der dünnen Schicht von leitendem Material angeordnet. Die Schicht von halbleitendem Material und die dünne Schicht von leitendem Material umfassen eine Gate-Elektrode eines Transistors. Ein Source-Gebiet und ein Drain-Gebiet sind nahe dem Gate-Dielektrikum im Werkstück ausgebildet. Die dünne Schicht von leitendem Material umfasst eine Dicke von ungefähr 5 nm (50 Angström) oder weniger.
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