| 主权项 |
1.一种具有整波电路之高速雷射驱动器,上述整波 电路包括一塑形级(shaping stage)及一缓冲级(buffering stage),该塑形级包括一整波差动对,其整波差动对 具有一共通源极(common source)及一电阻器,其电阻器 串接于该共通源极,以设定该整波差动对之输出电 压振幅,该缓冲级包括一随耦差动对,各具一闸极 以接收来自该整波差动对之输出电压,及一可变电 阻差动对,具有一与该随耦差动对之闸极交错耦合 (cross-coupled)之闸极对,以利用不同作用区(active region)来调整其电阻値,进而控制该缓冲级之输出 电压。 2.如申请专利范围第1项之具有整波电路之高速雷 射驱动器,其中,上述不同作用区包括一能将该可 变电阻差动对之电阻値调高之饱和区(saturation region)及一能将该可变电阻差动对之电阻値调低之 三极区(triode region)。 3.如申请专利范围第1项之具有整波电路之高速雷 射驱动器,其中,上述整波差动对及随耦差动对皆 是一对金属氧化物半导体(MOS)。 4.如申请专利范围第1项之具有整波电路之高速雷 射驱动器,其中,上述可变电阻差动对是一对金属 氧化物半导体(MOS)。 5.如申请专利范围第1项之具有整波电路之高速雷 射驱动器,其中,上述可变电阻差动对是一对可变 电阻器。 6.一种具有整波电路之高速雷射驱动器,包括: 一第一整波元件,包括一具有一源极、一闸极及一 汲极之第一N型金属氧化物半导体(NMOS)及一串接于 该第一N型金属氧化物半导体汲极之第一电阻器, 其中上述闸极自外部接收一第一输入电压,上述第 一电阻器之自由端连接至一外部操作电压; 一第二整波元件,包括一具有一源极、一闸极及一 汲极之第二N型金属氧化物半导体(NMOS)及一串接于 该第二N型金属氧化物半导体汲极之第二电阻器, 其中,上述闸极自外部接收一第二输入电压且上述 第二电阻器之自由端(free end)连接至上述外部操作 电压; 一第一输出振幅设定(output swing-setting)电阻器,耦 接于地面及该第一及第二整波元件之源极之间; 一随耦差动对,包括一具有一源极、一闸极及一汲 极之第三N型金属氧化物半导体(NMOS)及一具有一源 极、一闸极及一汲极之第四N型金属氧化物半导体 (NMOS),其中,上述第三及第四N型金属氧化物半导体( NMOS)之汲极同时连接至上述外部操作电压,其闸极 分别连接至上述第一及第二整波元件中电阻器与N 型金属氧化物半导体(NMOS)之串接点; 一可变电阻差动对,包括一具有一源极、一闸极及 一汲极之第五N型金属氧化物半导体(NMOS)及一具有 一源极、一闸极及一汲极之第六N型金属氧化物半 导体(NMOS),其中,上述第五及第六N型金属氧化物半 导体(NMOS)之源极同时接地,上述第五N型金属氧化 物半导体(NMOS)之汲极串接至上述第三N型金属氧化 物半导体(NMOS)之源极且其闸极连接至上述第四N型 金属氧化物半导体(NMOS)之闸极,及上述第六N型金 属氧化物半导体(NMOS)之汲极串接至上述第四N型金 属氧化物半导体(NMOS)之源极且其闸极连接至上述 第三N型金属氧化物半导体(NMOS)之闸极; 一动态控制电路,包括一第一动态控制元件、一第 二动态控制元件、一第二输出振幅设定电阻器及 一动态调整元件(elelnent),上述第一动态控制元件 包括一具有一源极、一闸极及一汲极之第七N型金 属氧化物半导体(NMOS)及一其一端串接于该第七N型 金属氧化物半导体汲极而另一端连接至该外部操 作电压之第三电阻器,上述第二动态控制元件包括 一具有一源极、一闸极及一汲极之第八N型金属氧 化物半导体(NMOS)及一其一端串接于该第八N型金属 氧化物半导体汲极而另一端连接至该外部操作电 压之第四电阻器,上述第二输出振幅设定(current- setting)电阻器,并联于上述动态调整元件(element)且 耦接于地面及上述第一及第二动态控制元件之源 极之间,其中,上述第七及第八N型金属氧化物半导 体(NMOS)之闸极分别连接至上述第四及第六N型金属 氧化物半导体(NMOS)之串接点与第三及第五N型金属 氧化物半导体(NMOS)之串接点,及上述动态调整元件 (element)之源极系为接地; 一输出级电路,包括一输出差动对及一输出电流控 制元件,上述输出差动对包括一具有一源极、一闸 极及一汲极之第九N型金属氧化物半导体(NMOS)及一 具有一源极、一闸极及一汲极之第十N型金属氧化 物半导体(NMOS),上述输出电流控制元件包括一具有 一源极、一闸极及一汲极之第十一N型金属氧化物 半导体(NMOS),其中,上述第九N型金属氧化物半导体( NMOS)之汲极透过一电阻器连接至该外部操作电压 且其闸极连接至上述第一动态控制元件,上述第十 N型金属氧化物半导体(NMOS)之汲极透过一雷射二级 体连接至该外部操作电压且其闸极连接至上述第 二动态控制元件,上述第十一N型金属氧化物半导 体(NMOS)之汲极连接至上述第九及第十N型金属氧化 物半导体(NMOS)之源极、其闸极连接至一外部控制 电压及其源极接地; 一位移电路,包括一具有一源极、一闸极及一汲极 之第一P型金属氧化物半导体(PMOS)、一有一源极、 一闸极及一汲极之第二P型金属氧化物半导体(PMOS) 、一具有一源极、一闸极及一汲极之第十二N型金 属氧化物半导体(NMOS)及一位移电阻器,其中,上述 第一及第二P型金属氧化物半导体(PMOS)之源极连接 至该外部操作电压且其相接之闸极连接至第二P型 金属氧化物半导体(PMOS)之汲极,上述第十二N型金 属氧化物半导体(NMOS)串接于地面及上述第二P型金 属氧化物半导体(PMOS)汲极之间且其闸极连接至一 外部控制电压,上述位移电阻器串接于地面及上述 第一P型金属氧化物半导体(PMOS)汲极之间差动对以 形成一输出节点连接至上述动态调整元件。 7.如申请专利范围第6项之具有整波电路之高速雷 射驱动器,其中,上述第一及第二输入电压之幅度 相同但极性相反。 8.如申请专利范围第6项之具有整波电路之高速雷 射驱动器,其中,上述动态调整元件(element)是一金 属氧化物半导体(NMOS)。 9.如申请专利范围第6项之具有整波电路之高速雷 射驱动器,其中,上述可变电阻差动对等效于一对 可变电阻器。 10.如申请专利范围第6项之具有整波电路之高速雷 射驱动器,其中,上述动态调整元件(element)是一可 变电阻。 11.一种具有整波电路之高速雷射驱动器,包括: 复数个串接(cascading)整波电路,上述复数个串接整 波电路具有一金属氧化物半导体差动输入对及一 金属氧化物半导体差动输出对,用以将自上述金属 氧化物半导体差动输入对输入之正弦信号转变成 方波信号并自上述金属氧化物半导体差动输出对 输出; 一动态控制电路,包括一金属氧化物半导体差动输 入对、一动态调整元件及一金属氧化物半导体差 动输出对,用以自上述金属氧化物半导体差动输入 对接收上述方波信号后,使用上述动态调整元件来 调整所接收之方波信号幅度,并将已调整幅度之方 波信号自上述金属氧化物半导体差动输出对输出; 一输出级电路,包括一金属氧化物半导体差动输入 对、及一第一闸控型元件,用以自上述金属氧化物 半导体差动输入对接收上述已调整幅度之方波信 号,并自上述第一闸控型元件之闸极输入一外部控 制电压以控制流经外接应用电路之雷射二极体之 电流大小,以使上述雷射二极体发光输出所接收之 方波信号;及 一位移电路,包括一第二闸控型元件及一调整电阻 器,用以自上述第二闸控型元件输入上述外部控制 电压以控制上述调整电阻器上之压降,以调整上述 动态调整元件之输入。 12.如申请专利范围第11项之具有整波电路之高速 雷射驱动器,其中,上述动态调整元件(element)是一 可变电阻。 13.如申请专利范围第11项之具有整波电路之高速 雷射驱动器,其中,上述动态调整元件是一金属氧 化物半导体。 图式简单说明: 第1图系一典型雷射驱动器结构图; 第2图系一根据第1图之典型整波电路图; 第3图系一非理想定电流源特征图; 第4图系一整波输出讯号比较图; 第5图系一根据第1图之典型输出控制电路图; 第6图系一本发明高速雷射驱动器电路图; 第7图系一第6图中之整波电路放大图; 第8图系一第6图中之动态控制电路及输出级电路 放大图; 第9图系一第6图中之位移电路实施例;及 第10图系一习知与本发明之比较图。 |
