用于感应式等离子体处理器的层叠RF激励线圈

摘要

一种适用于感应式等离子体处理器的射频激励线圈，该线圈包括与层叠在平面匝(103)上的部分(115)相串联的平面匝(103)。所述层叠段设置在由于腔室和/或激励线圈的水平方向上的非对称性所减弱射频耦合到等离子体的区域周围。在单个绕组的实施例中，层叠段接近于在两个相邻的平面匝之间的互连间隙，并且以偏离间隙的两个方向延伸，以补偿在间隙区域中的射频耦合到等离子体中。在一个实施例中，它包括了两个电性能并联空间上同心的绕组，层叠段的延伸超过了两个相邻匝数的互连间隙的一边，并且与平面匝相对准，使得层叠段的一个接头通过直接的短的插头直接与平面匝的一个接头相连接。线圈的端点(111)通过引线(128)与线圈上的外壳中的RF激励电路(28)的端点相连接，该引线平缓和逐渐地延伸，而在线圈的端点和激励电路地端点之间没有尖锐的弯曲。各个平面匝(113)和层叠段通过引线(116)相连接，而该引线平缓和逐渐地延伸而在其两接头之间没有尖锐的弯曲。

主权项

1.一种用于真空等离子体处理器的射频等离子体激励线圈，所述线圈位于所述处理器的真空腔室的窗口上方，所述线圈包括至少一个多匝数的绕组，至少一匝是平面的，一段与所述一匝的一部分相层叠，从而与所述一匝的平面相隔开，所述层叠段与所述一匝串联连接，使得相同的电流以相同的方向流过所述一匝和所述层叠段。