| 发明名称 | TFT阵列半曝光光刻工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种TFT阵列半曝光光刻工艺，在薄膜晶体管沟道位置处设置低于曝光设备临界分辨率大小图形的光掩膜板，在已形成半导体膜层和金属膜层的衬底上实施光刻工艺。本发明可以应用于TFT－LCD生产中的硅岛图案和源/漏级图案形成，可以仅利用一次光刻工艺即形成上述图形，比传统工艺减少一次或多次光刻，可以减少光刻掩模版的成本和减少工序数目，对于节约成本和减短工艺时间、增加生产量有很大作用。 | ||
| 申请公布号 | CN1996147A | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
| 申请号 | CN200510112257.7 | 申请日期 | 2005.12.28 |
| 申请人 | 上海广电NEC液晶显示器有限公司 | 发明人 | 谢晓明;谭智敏 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);G03F7/26(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 薛琦 |
| 主权项 | 1、一种TFT阵列半曝光光刻工艺，其特征在于，在薄膜晶体管沟道位置处设置低于曝光设备临界分辨率大小图形的光掩膜板，在已形成半导体膜层和金属膜层的衬底上实施光刻工艺。 | ||
| 地址 | 201108上海市闵行区华宁路3388号 | ||