| 发明名称 | 第III族氮化物晶体物质的制造方法和制造装置 | ||
| 摘要 | 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1992168A | 申请公布日期 | 2007.07.04 |
| 申请号 | CN200610172517.4 | 申请日期 | 2006.12.26 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 竺井仁;冈久拓司;藤田俊介;松本直树;井尻英幸;佐藤史隆;元木健作;中畑成二;上松康二;弘田龙 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/205(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B33/00(2006.01);H01S5/323(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 1.一种第III族氮化物晶体物质的制造方法，该方法包括：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁所述反应室(110)的内部的步骤，和第III族氮化物晶体物质(11)在所述清洁的反应室(110)中气相沉积的步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||