| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含: 由绝缘性树脂构成的密封体; 沿着该密封体的周围,遍及该密封体的内外配设的 复数条导线; 具有主面以及背面的调整片; 具有主面以及背面,在该主面上具有复数个电极端 子与分别由复数个半导体元件构成的复数个电路 部的半导体晶片;以及 连接该复数个电极端子与该导线的复数条导电性 的焊接线;用以对该复数个电极端子供给第一电位 ,连接该复数个电极端子与该调整片的主面的复数 条导电性的焊接线,其特征为: 该半导体晶片的背面被固定于该调整片的主面上, 该复数个电路部包含第一电路部、第二电路部, 该复数个电极端子具有用以对该第一电路部输入 外部讯号的第一电极端子、用以对该第一电路部 供给该第一电位的第二电极端子、与该第二电路 部连接的第三电极端子以及用以对该第二电路部 供给该第一电位的第四电极端子, 该复数条导线包含第一导线、第二导线、配置于 该第一导线与第二导线之间的第三导线, 该第一电极端子是经由导电性的焊接线与该第一 导线连接, 该第二电极端子是经由导电性的焊接线与该第三 导线连接, 该第三电极端子是经由导电性的焊接线与该第二 导线连接, 该第四电极端子是经由导电性的焊接线与该调整 片连接, 该第三导线与该调整片被绝缘。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中该 第一电路部是用以放大该第一导线以及经由该第 一电极端子而输入的外部讯号的放大电路。 3.如申请专利范围第2项所述之半导体装置,其中该 第二电路部具有处理被该第一电路部放大的讯号 的功能的至少一部分。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中该 第一电路部是用以放大无线讯号经由天线而转换 的电气讯号的电路。 5.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中该 第二电路部构成用以处理经由该天线作为无线讯 号输出的电气讯号的电路的至少一部分。 6.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中该 半导体晶片具有在其主面上用以连接该第二连接 端子与该第一电路部的第一焊接线,与用以连接该 第四连接端子与第二电路部的第二焊接线,在该半 导体晶片的主面上,该第一焊接线与第二焊接线被 绝缘。 7.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中在 该半导体晶片的主面上,由该第一连接端子到该第 一电路部的焊接线长度比由该第三连接端子到该 第二电路部的焊接线长度还小。 8.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中该 调整片的背面露出在该密封体的外部。 9.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中该 调整片是经由单数或复数条导线性的焊接线,与单 数或复数条该导线电性连接,与该调整片连接的导 线数比与该调整片连接的电极端子数少。 10.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中 该密封体具有安装面,该复数条导线露出在该密封 体的安装面。 11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置,其中 该调整片露出在该密封体的安装面。 12.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中 该第一电路部是用以减小该第一导线以及经由该 第一电极端子而输入的外部讯号的频率的频率转 换电路。 13.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中 该复数个电路部包含振荡器,用以对该振荡器供给 该第一电位的电极端子是经由导电性的焊接线与 该调整片连接。 14.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中 该半导体晶片具有在其主面上用以连接该第二连 接端子与该第一电路部的第一焊接线,与用以连接 该第四连接端子与该第二电路部的第二焊接线,在 该半导体晶片的主面上该第一焊接线与第二焊接 线被绝缘。 15.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中 在该半导体晶片的主面上,由该第一连接端子到该 第一电路部的焊接线长度比由该第三连接端子到 该第二电路部的焊接线长度还小。 16.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中 该调整片的背面露出在该密封体的外部。 17.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中 该调整片是经由单数或复数条导线性的焊接线,与 单数或复数条该导线电性连接,与该调整片连接的 导线数比与该调整片连接的电极端子数少。 18.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中 该密封体具有安装面,该复数条导线露出在该密封 体的安装面。 19.如申请专利范围第18项所述之半导体装置,其中 该调整片露出在该密封体的安装面。 20.一种无线通讯装置,具有如申请专利范围第1项 所述之半导体装置,其特征包含: 用以将无线讯号转换成电气讯号的天线;以及 用以将被该天线转换的电气讯号输入到该第一导 线的焊接线。 21.一种半导体装置,包含: 由绝缘性树脂构成的密封体; 沿着该密封体的周围,遍及该密封体的内外配设的 复数条导线; 具有主面以及背面的调整片; 具有主面以及背面,在该主面上具有复数个电极端 子与分别由复数个半导体元件构成的复数个电路 部的半导体晶片;以及 连接该复数个电极端子与该导线的复数条导电性 的焊接线;用以对该复数个电极端子供给第一电位 ,连接该复数个电极端子与该调整片的主面的复数 条导电性的焊接线,其特征为: 该半导体晶片的背面被固定于该调整片的主面上, 该复数个电路部包含用以放大无线讯号经由天线 而转换的电气讯号之第一放大电路部以及第二放 大电路部, 该复数个电极端子具有用以对该第一放大电路部 输入外部讯号的第一电极端子、用以对该第一放 大电路部供给该第一电位的第二电极端子、与用 以对该第二放大电路部输入外部讯号的第三电极 端子, 该复数条导线包含第一导线、第二导线、配置于 该第一导线与第二导线之间的第三导线, 该第一连接端子是经由导电性的焊接线与该第一 导线连接, 该第二连接端子是经由导电性的焊接线与该第三 导线连接, 该第三连接端子是经由导电性的焊接线与该第二 导线连接, 该第三导线与该调整片被绝缘。 22.如申请专利范围第21项所述之半导体装置,其中 该第二放大电路部是用以放大与该第一放大电路 部不同的频带的外部讯号的电路部。 23.如申请专利范围第22项所述之半导体装置,其中 该复数个电路部包含振荡电路部,用以对该振荡电 路部供给该第一电位的连接端子是经由导电性的 焊接线与该调整片连接。 24.一种半导体装置,包含: 具有上面,及对向于该上面的背面,以及夹持于该 上面与背面的侧面之树脂密封体; 沿着该树脂密封体的周围,遍及该树脂密封体的内 外而配设之复数条导线; 配置于该复数条导线所围绕的领域之晶片搭载部; 在其主面上具有复数个电极端子,及分别藉由复数 个半导体元件而构成的复数个电路部,并且搭载于 该晶片搭载部上,利用该树脂密封体而密封之四角 形状的半导体晶片;以及 连接该半导体晶片的复数个电极端子与该复数条 导线之复数条导电性焊接线; 该半导体晶片的复数个电路部包含具有一对的输 入之差动放大电路部, 该复数个电极端子包含对应于该差动放大电路部 的一对输出之第1电极端子及第2电极端子, 该第1电极端子及第2电极端子是沿着该半导体晶 片的一边而彼此邻接配置, 该复数条导线具有露出于该树脂密封体的背面之 第1部份,及由该第1部份往该晶片搭载部而延伸于 内侧之第2部份, 该复数条导电性的焊接线的两端部是分别连接于 该复数条导线的第2部份的端部及该半导体晶片的 复数个电极端子。 25.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 在对应于该差动放大电路部的一对输入之第1电极 端子及第2电极端子输入一对相位不同的互补讯号 。 26.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 该复数条导线的第2部份是全体被该树脂密封体所 覆盖。 27.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 该复数条导线的第2部份是比该第1部份的厚度还 要薄。 28.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 该差动放大电路部是供以放大携带用无线机器中 经由天线而变换的电气讯号之电路部。 29.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 该第1电极端子比该第2电极端子还要配置成靠近 该半导体晶片的一个角部,且电性连接于该第1电 极端子的导线的端部比电性连接于该第2电极端子 的导线的端部还要延伸至靠近该半导体晶片的一 边的位置。 30.如申请专利范围第29项所述之半导体装置,其中 连接该第1电极端子及该导线的导电性焊接线的长 度是与连接该第2电极端子及该导线的导电性焊接 线的长度相同。 31.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 该晶片搭载部由平面来看,要比该半导体晶片来得 大。 32.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 搭载该半导体晶片的面与相反侧的晶片搭载部的 背面是露出于该树脂密封体的外部。 33.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 该半导体晶片的复数个电极端子包含复数个第1固 定电位用电极端子及复数个第2固定电位用电极端 子,且该复数个第1固定电位用电极端子是经由该 复数条焊接线来分别连接于该复数条导线,该复数 个第2固定电位用电极端子是经由该复数条焊接线 来分别连接于该晶片搭载部的表面。 34.如申请专利范围第33项所述之半导体装置,其中 该复数个第1及第2固定电位用电极端子分别为接 地电位用电极端子。 35.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 该复数条导线的第1部份是以能够由该树脂密封体 的侧面露出之方式来突出于该树脂密封体的周围 。 36.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 与搭载该半导体晶片的面形成相反侧的晶片搭载 部的背面是位于该树脂密封体内。 37.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 该晶片搭载部的晶片搭载面与该导线的第1部份的 上面及第2部份的上面是位于同一平面上。 38.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 该导线的第1部份的厚度要比该晶片搭载部及第2 部份的厚度来得薄,且该晶片搭载部及第2部份是 位于该树脂密封体内。 39.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 该晶片搭载部与该导线的第1部份附有段差,该晶 片搭载部是位于该树脂密封体内。 40.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 由该导线的第1部份弯曲而延伸该第2部份,该第2部 份会位于该树脂密封体内。 41.如申请专利范围第24项所述之半导体装置,其中 该晶片搭载部要比该半导体晶片来得小。 42.一种半导体装置,包含: 具有上面,及对向于该上面的背面,以及夹持于该 上面与背面的侧面之树脂密封体; 沿着该密封体的周围,遍及该树脂密封体的内外而 配设之复数条导线; 配置于该复数条导线所围绕的领域之晶片搭载部; 在其主面上具有复数个电极端子,及分别藉由复数 个半导体元件而构成的复数个电路部,并且搭载于 该晶片搭载部上,利用该树脂密封体而密封之四角 形状的半导体晶片; 连接该半导体晶片的复数个电极端子与该复数条 导线之复数条的第1导电性焊接线;以及 连接该半导体晶片的复数个电极端子与该晶片搭 载部之复数条的第2导电性焊接线; 该复数条导线具有露出于该树脂密封体的背面之 第1部份,及由该第1部份往该晶片搭载部而延伸于 内侧之第2部份, 该复数条导电性的焊接线的两端部是分别连接于 该复数条导线的第2部份的端部及该半导体晶片的 复数个电极端子, 该晶片搭载部由平面来看,要比该半导体晶片来得 大, 该半导体晶片具有第1半导体基板,及形成于该第1 半导体基板表面的绝缘层,以及形成于该绝缘层上 的第2半导体基板, 该复数个电极端子及该复数个电路部是形成于该 第2半导体基板的主面, 该半导体晶片的第1半导体基板的背面会电性连接 于该晶片搭载部, 在该晶片搭载部会经由该复数条的第2导电性焊接 线来供给固定电位。 43.如申请专利范围第42项所述之半导体装置,其中 该半导体晶片的第1半导体基板为P型矽基板,该第2 半导体基板为P型矽基板,该固定电位为负电位。 44.如申请专利范围第42项所述之半导体装置,其中 该复数条导线的第2部份要比该第1部份的厚度来 得薄。 45.如申请专利范围第42项所述之半导体装置,其中 该复数条导线的第2部份是全体被该树脂密封体所 覆盖。 46.如申请专利范围第42项所述之半导体装置,其中 搭载该半导体晶片的面与相反侧的晶片搭载部的 背面是露出于该树脂密封体的外部。 47.如申请专利范围第42项所述之半导体装置,其中 该复数条导线的第1部份是以能够由该树脂密封体 的侧面露出之方式来突出于该树脂密封体的周围 。 48.如申请专利范围第42项所述之半导体装置,其中 由平面来看,在位于该半导体晶片的外侧的晶片搭 载部形成有复数个细缝,且该复数条第2导电性焊 接线的一端部会连接于该细缝的外侧部份。 49.如申请专利范围第42项所述之半导体装置,其中 与搭载该半导体晶片的面形成相反侧的晶片搭载 部的背面是位于该树脂密封体内。 50.如申请专利范围第42项所述之半导体装置,其中 该晶片搭载部的晶片搭载面与该导线的第1部份的 上面及第2部份的上面是位于同一平面上。 51.如申请专利范围第42项所述之半导体装置,其中 该导线的第1部份的厚度要比该晶片搭载部及第2 部份的厚度来得薄,且该晶片搭载部及第2部份是 位于该树脂密封体内。 52.如申请专利范围第42项所述之半导体装置,其中 该晶片搭载部与该导线的第1部份附有段差,该晶 片搭载部是位于该树脂密封体内。 53.如申请专利范围第42项所述之半导体装置,其中 由该导线的第1部份弯曲而延伸该第2部份,该第2部 份会位于该树脂密封体内。 54.如申请专利范围第42项所述之半导体装置,其中 该晶片搭载部要比该半导体晶片来得小。 55.一种半导体装置,系搭载于无线通讯装置,具有: 形成有调变器、解调器及低杂讯放大器的半导体 晶片; 搭载该半导体晶片的晶片搭载部; 配置于该晶片搭载部的周边之复数条导线;及 覆盖该复数条导线的一部份、该晶片搭载部的一 部份及该半导体晶片的树脂密封体; 其特征为: 该低杂讯放大器是藉由具有一对的输入之差动放 大电路所构成, 在该半导体晶片上配置有对应于该一对的输入之 第1及第2电极端子, 该第1电极端子是藉由第1导电性焊接线来与该复 数条导线中的第1导线连接, 该第2电极端子是藉由第2导电性焊接线来与该复 数条导线中的第2导线连接, 该复数条导线的平面形状是具有弯曲部。 56.如申请专利范围第55项之半导体装置,其中该第1 及第2导电性焊接线的长度大致相同。 57.如申请专利范围第55项之半导体装置,其中该半 导体装置具有QFN构造。 58.如申请专利范围第55项所记载之半导体装置,其 中该第1及第2导线由该树脂密封体的背面部份露 出。 59.如申请专利范围第55项所记载之半导体装置,其 中该低杂讯放大器具有放大经由天线而接受的无 线讯号之机能。 60.如申请专利范围第55项所记载之半导体装置,其 中该半导体晶片与基带电路电性连接, 该解调器的输出讯号被输入至该基带电路, 该基带的输出讯号被输入至该调变器。 61.如申请专利范围第55项所记载之半导体装置,其 中该晶片搭载部的背面由该树脂密封体的背面露 出。 62.一种半导体装置,系搭载于无线通讯装置,具有: 形成有调变器、解调器、第1及第2低杂讯放大器 的半导体晶片; 搭载该半导体晶片的晶片搭载部; 配置于该晶片搭载部的周边之复数条导线;及 覆盖该复数条导线的一部份、该晶片搭载部的一 部份及该半导体晶片的树脂密封体; 其特征为: 该第1及第2低杂讯放大器是相配置, 该第1及第2低杂讯放大器是分别藉由具有一对的 输入之差动放大电路所构成, 在该半导体晶片上,对应于该第1低杂讯放大器的 一对输入之第1及第2电极端子会相配置, 在该半导体晶片上,对应于该第2低杂讯放大器的 一对输入之第3及第4电极端子会相配置, 该第1及第2电极端子是分别藉由第1及第2导电性焊 接线来与该复数条导线中的第1及第2导线连接, 该第3及第4电极端子是分别藉由第3及第4导电性焊 接线来与该复数条导线中的第3及第4导线连接, 在该第1及第2导电性焊接线与该第3及第4导电性焊 接线之间,配置有与固定电位电性连接的固定电位 用焊接线。 63.如申请专利范围第62项之半导体装置,其中该固 定电位为接地电位。 64.如申请专利范围第62项之半导体装置,其中该半 导体装置具有QFN构造。 65.如申请专利范围第62项所记载之半导体装置,其 中该第1~第4导线的平面形状具有弯曲部。 66.如申请专利范围第62项所记载之半导体装置,其 中该第1及第2低杂讯放大器具有放大经由天线而 接受的无线讯号之机能。 67.如申请专利范围第62项所记载之半导体装置,其 中该半导体晶片与基带电路电性连接, 该解调器的输出讯号被输入至该基带电路, 该基带的输出讯号被输入至该调变器。 68.如申请专利范围第62项所记载之半导体装置,其 中该晶片搭载部的背面由该树脂密封体的背面露 出。 69.一种半导体装置,系搭载于无线通讯装置,具有; 形成有调变器、解调器及低杂讯放大器的半导体 晶片; 搭载该半导体晶片的导电性晶片搭载部; 配置于该晶片搭载部的周边之复数条导线;及 覆盖该复数条导线的一部份、该晶片搭载部的一 部份及该半导体晶片的树脂密封体; 其特征为: 该晶片搭载部的背面由该树脂密封体的背面露出, 在该半导体晶片上,配置有用以将第1固定电位供 应给该低杂讯放大器的第1电极端子, 在该半导体晶片上,配置有用以将第2固定电位供 应给该调变器及解调器的第2电极端子, 该第1电极端子是藉由第1导电性焊接线来与该复 数条导线中的一条导线连接, 该第2电极端子是藉由第2导电性焊接线来与该晶 片搭载部连接。 70.如申请专利范围第69项之半导体装置,其中该第1 及第2固定电位为接地电位。 71.如申请专利范围第69项之半导体装置,其中该半 导体装置具有QFN构造。 72.如申请专利范围第69项所记载之半导体装置,其 中该低杂讯放大器具有放大经由天线而接受的无 线讯号之机能。 73.如申请专利范围第69项所记载之半导体装置,其 中该半导体晶片与基带电路电性连接, 该解调器的输出讯号被输入至该基带电路, 该基带的输出讯号被输入至该调变器。 74.一种使用于无线通讯装置中的半导体装置,包含 : 半导体晶片,包括具有一对无线信号输入的差动低 杂讯放大器; 用于该对无线讯号输入的第1电极和第2电极,配置 在该半导体晶片的主表面上; 晶片搭载部,在其上搭载该半导体晶片; 复数条导线,配置在该晶片搭载部周边; 第1导电性焊接线,电连接该第1电极和该复数条导 线的第1导线; 第2导电性焊接线,电连接该第2电极和该复数条导 线的第2导线; 树脂密封体,覆盖该半导体晶片、该些导线的一部 分和该晶片搭载部的一部分, 其中,该半导体装置具有四方扁平无引脚封装(QFN) 构造; 该第1和第2导线各自具有第1部分和第2部分; 该第2部分自该第1部分朝该晶片搭载部往内地延 伸; 该第1部分自该树脂密封体的背面露出; 该第2部分具有小于该第1部分之厚度的厚度; 该第2部分配置在该树脂密封体的内部中; 该第2部分由平面来看系自该第1部分偏斜地延伸; 以及 该第1和第2导电性焊接线分别被接合至该第1和第2 导线的该第2部分。 75.如申请专利范围第74项之半导体装置,其中该第1 和第2导电性焊接线实质上是相同长度。 76.如申请专利范围第74项之半导体装置,其中该差 动低杂讯放大器处理藉由天线所接收之无线信号 。 77.如申请专利范围第74项之半导体装置,其中该半 导体装置与基带电路电耦接,且另外包含调变器和 解调器; 来自该解调器的输出讯号被输入至该基带电路;以 及 来自该基带电路的输出讯号被输入至该调变器。 78.如申请专利范围第74项之半导体装置,其中该晶 片搭载部自该树脂密封体的背面露出。 79.如申请专利范围第74项之半导体装置,其中该第1 和第2导线之第1部分的背面以及该晶片搭载部的 背面系配置以接收用于连接至搭载板的焊锡材料 。 80.如申请专利范围第74项之半导体装置,其中第3电 极配置在该半导体晶片的主表面上,且该第3电极 藉由向下接合焊接线被连接至该晶片搭载部。 81.如申请专利范围第74项之半导体装置,其中该第1 导线之第1和第2部分的上面是在相同平面上,且该 第2导线之第1和第2部分的上面是在相同平面上。 82.一种使用于无线通讯装置中的半导体装置,包含 : 半导体晶片,包括用于放大无线讯号的低杂讯放大 器、用于输出振荡讯号的压控振荡器、用于接收 该低杂讯放大器之输出讯号与该压控振荡器之振 荡讯号的混合器、和接收该混合器之输出讯号的 解调器; 用于该对无线讯号输入的第1电极和第2电极,配置 在该半导体晶片的主表面上; 晶片搭载部,在其上搭载该半导体晶片; 复数条导线,配置在该晶片搭载部周边; 第1导电性焊接线,电连接该第1电极和该复数条导 线的第1导线; 第2导电性焊接线,电连接该第2电极和该复数条导 线的第2导线; 树脂密封体,覆盖该半导体晶片、该些导线的一部 分和该晶片搭载部的一部分, 其中,该半导体装置具有四方扁平无引脚封装(QFN) 构造; 该第1和第2导线各自具有第1部分和第2部分; 该第2部分自该第1部分朝该晶片搭载部往内地延 伸; 该第1部分自该树脂密封体的背面露出; 该第2部分具有小于该第1部分之厚度的厚度; 该第2部分配置在该树脂密封体的内部中; 该第2部分由平面来看系自该第1部分偏斜地延伸; 以及 该第1和第2导电性焊接线分别被接合至该第1和第2 导线的该第2部分。 83.一种使用于无线通讯装置中的半导体装置,包含 : 半导体晶片,包括无线讯号放大器和压控振荡器; 用于该对无线讯号输入的第1电极和第2电极,配置 在该半导体晶片的主表面上; 晶片搭载部,在其上搭载该半导体晶片; 复数条导线,配置在该晶片搭载部周边; 第1导电性焊接线,电连接该第1电极和该复数条导 线的第1导线; 第2导电性焊接线,电连接该第2电极和该复数条导 线的第2导线; 树脂密封体,覆盖该半导体晶片、该些导线的一部 分和该晶片搭载部的一部分, 其中,该半导体装置具有四方扁平无引脚封装(QFN) 构造; 该第1和第2导线各自具有第1部分和第2部分; 该第2部分自该第1部分朝该晶片搭载部往内地延 伸; 该第1部分自该树脂密封体的背面露出; 该第2部分具有小于该第1部分之厚度的厚度; 该第2部分配置在该树脂密封体的内部中; 该第2部分由平面来看系自该第1部分偏斜地延伸; 以及 该第1和第2导电性焊接线分别被接合至该第1和第2 导线的该第2部分。 84.一种使用于无线通讯装置中的半导体装置,包含 : 半导体晶片,包括压控振荡器和低杂讯放大器; 晶片搭载部,在其上搭载该半导体晶片; 复数条导线,配置在该晶片搭载部周边;以及 树脂密封体,覆盖该半导体晶片、该些导线的一部 分和该晶片搭载部的一部分, 其中,该晶片搭载部自该树脂密封体的背面露出; 用于将预设电位提供至该低杂讯放大器的第1电极 系配置在该半导体晶片上; 用于将该预设电位提供至该压控振荡器的第2电极 系配置在该半导体晶片上; 该第1电极经由第1导电性焊接线而与该些导线其 中之一电连接; 该第2电极经由第2导电性焊接线而与该晶片搭载 部电连接; 该第1电极和该第2电极在该半导体装置中并未彼 此电连接;以及 该第1导电性焊接线和该第2导电性焊接线在该半 导体装置中并未彼此电连接。 85.如申请专利范围第84项之半导体装置,其中该预 设电位系为接地电位。 86.如申请专利范围第84项之半导体装置,其中该半 导体装置具有四方扁平无引脚封装(QFN)构造。 87.如申请专利范围第84项之半导体装置,其中该低 杂讯放大器处理藉由天线所接收之无线信号。 88.如申请专利范围第84项之半导体装置,其中该半 导体装置另外包含调变器、解调器、和用于与该 无线通讯装置的基带电路耦接之端子, 来自该解调器的输出讯号被提供至用于输入至该 基带电路中的该些端子其中之一,以及 该调变器的输入被耦接至该些端子的另一者,以接 收来自该基带电路的输出讯号。 89.一种使用于无线通讯装置中的半导体装置,包含 : 半导体晶片,包括用于放大无线讯号的低杂讯放大 器、用于输出振荡讯号的压控振荡器、用于接收 该低杂讯放大器之输出讯号与该压控振荡器之振 荡讯号的混合器、和接收该混合器之输出讯号的 解调器; 晶片搭载部,在其上搭载该半导体晶片; 复数条导线,配置在该晶片搭载部周边;以及 树脂密封体,覆盖该半导体晶片、该些导线的一部 分和该晶片搭载部的一部分, 其中,该晶片搭载部自该树脂密封体的背面露出; 用于将预设电位提供至该低杂讯放大器的第1电极 系配置在该半导体晶片上; 用于将该预设电位提供至该压控振荡器的第2电极 系配置在该半导体晶片上; 该第1电极经由第1导电性焊接线而与该些导线其 中之一电连接; 该第2电极经由第2导电性焊接线而与该晶片搭载 部电连接; 该第1电极和该第2电极在该半导体装置中并未彼 此电连接;以及 该第1导电性焊接线和该第2导电性焊接线在该半 导体装置中并未彼此电连接。 90.一种使用于无线通讯装置中的半导体装置,包含 : 半导体晶片,包括无线讯号放大器和压控振荡器; 晶片搭载部,在其上搭载该半导体晶片; 复数条导线,配置在该晶片搭载部周边; 树脂密封体,覆盖该半导体晶片、该些导线的一部 分和该晶片搭载部的一部分; 配置在该半导体晶片上的第1电极,以将预设电位 提供至该低杂讯放大器;以及 配置在该半导体晶片上的第2电极,以将该预设电 位提供至该压控振荡器, 其中,该晶片搭载部自该树脂密封体的背面露出; 该第1电极经由第1导电性焊接线而与该些导线其 中之一电连接; 该第2电极经由第2导电性焊接线而与该晶片搭载 部电连接; 该第1电极和该第2电极在该半导体装置中并未彼 此电连接;以及 该第1导电性焊接线和该第2导电性焊接线在该半 导体装置中并未彼此电连接。 91.一种使用于无线通讯装置中的半导体装置,包含 : 半导体晶片,包括无线讯号放大器和压控振荡器; 晶片搭载部,在其上搭载该半导体晶片; 复数条导线,配置在该晶片搭载部周边; 树脂密封体,覆盖该半导体晶片、该些导线的一部 分和该晶片搭载部的一部分; 配置在该半导体晶片上的第1电极,以将预设电位 提供至该低杂讯放大器;以及 配置在该半导体晶片上的第2电极,以将该预设电 位提供至该压控振荡器, 其中,该晶片搭载部自该树脂密封体的背面露出; 该第1电极经由第1导电性焊接线而与该些导线其 中之一电连接; 该第2电极经由第2导电性焊接线而与该晶片搭载 部电连接; 该第1电极和该第2电极在该半导体装置中彼此电 性绝缘;以及 该第1导电性焊接线和该第2导电性焊接线在该半 导体装置中彼此电性绝缘。 92.一种使用于无线通讯装置中的半导体装置,包含 : 半导体晶片,包括用于放大无线讯号的低杂讯放大 器、用于输出振荡讯号的压控振荡器、用于接收 该低杂讯放大器之输出讯号与该压控振荡器之振 荡讯号的混合器、和接收该混合器之输出讯号的 解调器; 晶片搭载部,在其上搭载该半导体晶片; 复数条导线,配置在该晶片搭载部周边; 树脂密封体,覆盖该半导体晶片、该些导线的一部 分和该晶片搭载部的一部分, 其中,该第1和第2低杂讯放大器系以并排方式配置, 该第1和第2低杂讯放大器各自具有一对无线信号 输入, 用于该第1低杂讯放大器之该对无线讯号输入的第 1对电极系以并排方式配置在该半导体晶片的主表 面上, 用于该第2低杂讯放大器之该对无线讯号输入的第 2对电极系以并排方式配置在该半导体晶片的主表 面上, 用于预设电位的第5电极系配置在该半导体晶片的 主表面上, 该第1对电极分别经由第1对导电性焊接线而与该 复数条导线的第1对导线电连接, 该第2对电极分别经由第2对导电性焊接线而与该 复数条导线的第2对导线电连接, 该第5电极电连接至第5导电性焊接线,以及 该第5电极位于该第1对和第2对电极之间,且该第5 导电性焊接线位于该第1和第2对焊接线之间。 图式简单说明: 图1是切去本发明的一实施形态(实施形态1)之高频 功率模组的密封体的一部分的模式的俯视图。 图2是本实施形态1的高频功率模组的剖面图。 图3是本实施形态1的高频功率模组的模式的俯视 图。 图4是区块地显示连结到本实施形态1的高频功率 模组的半导体晶片中的电路构成的模式的俯视图 。 图5是显示本实施形态1的高频功率模组中的外部 电极端子与半导体晶片的低杂讯放大器或合成器 等的各电路部的接线状态的模式的俯视图。 图6是显示本实施形态1的高频功率模组的制造方 法的流程图。 图7是在本实施形态1的高频功率模组的制造中所 使用的导线架的俯视图。 图8是显示前述导线架中的单位导线架图案的模式 的俯视图。 图9是搭载半导体晶片的前述导线架的模式的剖面 图。 图10是显示打线接合终了的前述导线架的模式的 剖面图。 图11是显示形成有密封体的前述导线架的模式的 剖面图。 图12是显示连结有本实施形态1的高频功率模组的 携带电话机的电路构成的区块图。 图13是显示本实施形态1的高频功率模组的携带电 话机中的安装状态的模式的剖面图。 图14是切去本发明的其他实施形态(实施形态2)之 高频功率模组的密封体的一部分的模式的俯视图 。 图15是切去本发明的其他实施形态(实施形态3)之 高频功率模组的密封体的一部分的模式的俯视图 。 图16是切去本发明的其他实施形态(实施形态4)之 高频功率模组的密封体的一部分的模式的俯视图 。 图17是本实施形态4的高频功率模组的模式的剖面 图。 图18是显示本实施形态4的高频功率模组的变形例 的模式的剖面图。 图19是显示本发明的其他实施形态(实施形态5)之 高频功率模组的模式的剖面图。 图20是显示本实施形态5之高频功率模组的俯视图 。 图21是显示本实施形态5之高频功率模组的底面图 。 图22是切去本实施形态5之高频功率模组的密封体 的一部分的模式的俯视图。 图23是显示使高频功率模组的差动放大电路部之 一对的输入部的焊接线电感一致之本实施形态5的 导线及焊接线的图案例,及焊接线电感未一致之导 线及焊接线的图案例的模式图。 图24是在于说明图23所示之导线图案的不同而造成 焊接线的连接可靠度不同的模式图。 图25是显示本实施形态5之高频功率模组的外部电 极端子与半导体晶片的低杂讯放大器或合成器等 的各电路部的结线状态的模式的俯视图。 图26是显示在本实施形态5之高频功率模组的制造 中,以焊接线来连接固定于导线架之半导体晶片的 电极与导线的状态的一部份的导线架的俯视图。 图27是显示本实施形态5之高频功率模组的半导体 晶片内部构成及导线的连接状态的模式的扩大剖 面图。 图28是显示本实施形态5之高频功率模组的半导体 晶片内部构成的模式的扩大剖面图。 图29是显示本实施形态5之高频功率模组的安装状 态的模式的剖面图。 图30是显示装入本实施形态5之高频功率模组的行 动电话的电路构成的区块图。 图31是显示本发明的其他实施形态(实施形态6)之 支持半导体晶片的调整片比半导体晶片还要小的 构成(小调整片构成)之高频功率模组的模式的剖 面图。 图32是显示使用于本实施形态6之高频功率模组的 制造之小调整片构成的导线架的一部份之模式的 俯视图。 图33是显示上述小调整片构成的其他几个变形例 之高频功率模组的模式的剖面图。 图34是显示行动电话之含2输入差动放大电路部(LNA )的区块图,及含1输入差动放大电路部(LNA)的区块 图。 |
