发明名称 基板处理装置
摘要 本发明系有关以运送机构边运送基板,边依序对基板施以湿式及乾式处理之基板处理装置。该基板处理装置具备:运送机构1,用来运送基板W;湿式处理部WET,针对被运送之基板W施以湿式处理;膜液供给机构4,配设于比湿式处理部WET更靠运送方向下流侧,使处理液形成膜状后供给至基板W上;及气体喷出机构6,其开口部系以与基板W的全面相对向的方式配置于膜液供给机构4之运送方向下流侧,由开口部喷出气体,产生板状之气流。
申请公布号 TWI283441 申请公布日期 2007.07.01
申请号 TW091104159 申请日期 2002.03.06
申请人 住友精密工业股份有限公司 发明人 水川茂;中田胜利;松元俊二
分类号 H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种基板处理装置,其特征系具备: 运送机构,以大致水平方式来运送基板; 湿式处理部,针对以前述运送机构所运送之基板施 以湿式处理; 膜液供给机构,配设于比前述湿式处理部更靠运送 方向下流侧,使处理液形成均一膜厚的膜状后供给 至前述基板上;及 气体喷出机构,具有狭缝状之开口部,该开口部系 以与前述基板的全面相对向的方式配置于前述膜 液供给机构之前述运送方向下流侧,由前述开口部 喷出气体,产生板状之气流。 2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,将 前述气体喷出机构配置成相对于前述开口部之长 方向与前述运送方向正交之方向而倾斜。 3.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,将 前述气体喷出机构之开口部与前述基板间之距离 设为1mm以上5mm以下。 4.如申请专利范围第1~3项中任一项之基板处理装 置,其中,沿前述运送方向并设有复数个前述气体 喷出机构。 图式简单说明: 第1图系表示本发明之基板处理装置之要部概略构 成之模式截面图。 第2图系第1图之俯视图。 第3图系第2图之要部详细图。 第4图系第1图中所示第1上气刀之截面图。 第5图系第4图箭头V方向之俯视图。 第6图系第4图箭头VI方向之前视图。
地址 日本