| 摘要 |
本发明实现了其元件图案为最小化之固态影讯拾讯装置，以及用于制造该固态影讯拾讯装置之方法，其中使用熔炉退火(furnace-annealing)而不实施于主要热处理制程中之氮化处理闸极氧化物薄膜和快速热处理之制程。依照本发明之制造固态影讯拾讯装置之方法包括藉由热氧化处理半导体基板而形成个别之N通道电晶体和P通道电晶体闸极绝缘薄膜；形成P通道电晶体之闸极电极和形成N通道电晶体之闸极电极以便具有相等或小于0.3μm之最小的闸极长度；使用闸极电极作为遮罩而将杂质植入半导体基板中；以及，熔炉退火具有杂质植入于其中之半导体基板之步骤。 |
