发明名称 |
可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片 |
摘要 |
本发明公开了一种可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片,该芯片包括Si衬底,与Si衬底牢固结合的碲镉汞外延薄膜,通过常规的器件芯片制备工艺在碲镉汞外延薄膜上形成的光敏元列阵,在每10-20个光敏元间的隔离区,均匀地置有通过等离子体刻蚀形成的可释放热失配应力的小孔,从而使焦平面器件芯片在室温—低温(80K)的温度循环过程中,热失配应力在局部小区域得到释放,使整个焦平面范围内的光敏元性能不因为热失配应力而导致失效,提高芯片的可靠性。 |
申请公布号 |
CN1988166A |
申请公布日期 |
2007.06.27 |
申请号 |
CN200610148070.7 |
申请日期 |
2006.12.27 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所 |
发明人 |
胡晓宁;叶振华;何力 |
分类号 |
H01L27/144(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/144(2006.01) |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 |
代理人 |
田申荣 |
主权项 |
1.一种可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片,该芯片包括<211>晶向的Si衬底(1),与Si衬底牢固结合的碲镉汞外延薄膜(2),通过常规的器件芯片制备工艺在碲镉汞外延薄膜上形成的光敏元列阵(3),其特征在于:在每10-20个光敏元间的隔离区,均匀地置有通过等离子体刻蚀形成的小孔(4),小孔尺度小于有效光敏元面积的1%,小孔深度为碲镉汞外延薄膜的厚度,小孔内表面置有钝化层。 |
地址 |
200083上海市玉田路500号 |