| 发明名称 | 磁隧道结元件结构和用于制造该结构的方法 | ||
| 摘要 | 提供了磁隧道结(MTJ)元件结构和用于制造MTJ元件结构的方法。MTJ元件结构(10)可以包括晶体钉扎层(26)、非晶体固定层(30)以及置于晶体钉扎层和非晶体固定层之间的耦合层(28)。非晶体固定层(30)与晶体钉扎层(26)反铁磁耦合。MTJ元件进一步包括自由层(34)以及置于非晶体固定层和自由层之间的隧道势垒层(32)。另一MTJ元件结构(60)可以包括钉扎层(26)、固定层(30)以及置于其之间的非磁耦合层(28)。隧道势垒层(32)被置于固定层(30)和自由层(34)之间。界面层(62)被安置为与隧道势垒层(32)和非晶体材料层(30)相邻。第一界面层(62)包括具有高于非晶体材料(30)的自旋极化的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1985377A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200580023937.X | 申请日期 | 2005.06.16 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 孙继军;雷努·W·戴夫;乔恩·M·斯劳特;约翰·阿克曼 |
| 分类号 | H01L29/76(2006.01);H01L31/113(2006.01);H01L29/94(2006.01);H01L31/119(2006.01);H01L31/062(2006.01) | 主分类号 | H01L29/76(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种磁隧道结元件，包括：合成反铁磁钉扎结构，包括：晶体钉扎铁磁层；非晶体固定铁磁层；和非磁耦合层，其置于晶体钉扎铁磁层和非晶体固定铁磁层之间，其中非晶体固定铁磁层与晶体钉扎铁磁层反铁磁耦合；第一电极叠层，其包括自由铁磁层；和隧道势垒层，其置于合成反铁磁钉扎结构和第一电极叠层之间。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||