半导体制造之光微影制程方法

摘要

本发明一般系关于半导体元件之制造。在一范例里，一形成部分半导体元件的方法包含，形成一光感层于一基底上，显影光感层以暴露出基底之一部份，并由显影后所剩余之光感层之至少一部份产生一种子层，于种子层上形成一蚀刻中止层，以及使用蚀刻中止层作为一遮罩蚀刻基底。