| 发明名称 |
增进半-极性(Al,In,Ga,B)N藉由金属有机化学气相沈积生长之方法 |
| 摘要 |
本发明系关于一种在一基板上经由金属有机化学气相沈积(MOCVD)生长一半-极性氮化物半导体薄膜的方法，其中系于一氮化物成核或缓冲层该半-极性氮化物半导体薄膜之生长前，生长于该基板上。 |
| 申请公布号 |
TW200723369 |
申请公布日期 |
2007.06.16 |
| 申请号 |
TW095133385 |
申请日期 |
2006.09.08 |
| 申请人 |
加利福尼亚大学董事会;独立行政法人科学技术振兴机构 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY 日本 |
发明人 |
麦可 依莎;特洛伊J 贝克;班哲明A 黑斯凯尔;史蒂芬P 丹巴尔;中村 修二 |
| 分类号 |
H01L21/205(2006.01);C23C16/34(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
