基板的表面处理方法、基板的洗净方法、及程式

摘要

对形成于晶圆W的表面的绝缘膜301中使用阻绝膜302来作成源极汲极接触用的接触孔303之晶圆W进行SPM洗净而去除阻绝膜，进行SC1洗净而去除粒子304，进行SC2洗净而去除金属污染305，进行DHF洗净而去除发生于晶圆W表面上的自然氧化膜，进行旋转乾燥。其次，在所定的压力下将晶圆W暴露于含氨与氟化氢的混合气体的环境，将具有由形成水印图案307的SiO2变质后的错合物构造之生成物加热至所定的温度。