发明名称 | 非易失性存储器及其操作方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种包括具有金属-绝缘体-金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层,以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层,且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。 | ||
申请公布号 | CN1976039A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
申请号 | CN200610136072.4 | 申请日期 | 2006.10.20 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 文昌郁;李相睦;柳寅儆;李升运;埃尔·M·布里姆;李殷洪;赵重来 |
分类号 | H01L27/115(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
主权项 | 1.一种存储器,包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点,其中该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层,以及纳米结构层。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |