| 发明名称 | 形成半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供制造一种半导体结构的方法，所述半导体结构在其不同区域包括异质硅化物或锗化物。异质硅化物或锗化物形成在半导体层、导电层或二者中。根据本发明，本发明方法使用顺序沉积不同金属和构图的组合，以在半导体芯片不同区域中形成不同硅化物或锗化物。该方法包括：提供含Si层或Ge层，其具有至少第一区域和第二区域；在所述第一或第二区域中的一个上形成第一硅化物或锗化物；以及在所述不包括所述第一硅化物或锗化物的另一个区域上形成第二硅化物或锗化物，其在组成上不同于所述述第一硅化物或锗化物，其中所述形成所述第一和第二硅化物或锗化物的步骤顺序进行或在单个步骤中进行。 | ||
| 申请公布号 | CN1976006A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610147017.5 | 申请日期 | 2006.11.13 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | K·里姆;C·H·沃恩;J·J·埃利斯－莫纳甘;W·K·汉森;R·J·珀特尔;H·S·韦德曼;B·J·格林 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体结构的方法，包括：提供含Si层或Ge层，其具有至少第一区域和第二区域；在所述第一或第二区域中的一个上形成第一硅化物或锗化物；以及在所述不包括所述第一硅化物或锗化物的另一个区域上形成第二硅化物或锗化物，其在组成上不同于所述述第一硅化物或锗化物，其中所述形成所述第一和第二硅化物或锗化物的步骤顺序进行或在单个步骤中进行。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||