读取及写入一种磁性记忆体元件之系统与方法

摘要

一种磁性随机存取记忆体(MRAM)细胞，其系包含一磁性金属层与一近接该磁性金属层之磁性感测元件。该磁性金属层之其中一端系与一字元线电晶体耦接，而其另一端与一第一位元线耦接。该磁性感测元件可与一第二位元线耦接。该磁性金属层系兼具程式化及读取该细胞之两种用途，使该细胞不需要第二条电流线。