定义积体电路中之最小节距使超越光学微影制程解析度之方法

摘要

一种定义积体电路中之最小节距使超越光学微影制程解析度之方法，其系在制程中利用聚合物边衬、非感光聚合物填塞及聚合物遮罩控制目标层被定义的节距，使得该目标层之最小节距超越光学微影制程的解析度。应用在制造记忆体时，该方法并且可以同时解决记忆阵列区与周边线路区多晶矽节距差异过大的制程问题。