发明名称 发光二极体之光源折射结构
摘要 本创作系有关于一种发光二极体之光源折射结构,其发光二极体主要包含有晶片、导线架、跨接于晶片与导线架上形成正负两极之金线、及封装上述构件之胶体,同时于发光二极体内之晶片所形成之平面至胶体顶缘处形成光放射区,而晶片平面至胶体底部平面处为光流动区,其中由胶体底部延伸一具反射曲面之导射区,藉此,令由光放射区折射导回光流动区而散出之无效光源,以反射曲面之设计而能将其光源聚集导回,而由光放射区导出有效光源,进而能使发光二极体之亮度提高者。
申请公布号 TWM313398 申请公布日期 2007.06.01
申请号 TW095218440 申请日期 2006.10.19
申请人 李耿丞 发明人 李耿丞
分类号 H05B33/00(2006.01) 主分类号 H05B33/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈金铃 台南市安平区建平五街122号
主权项 1.一种发光二极体之光源折射结构,该发光二极体 主要包含有晶片、导线架、跨接于晶片与导线架 上形成正负两极之金线、及封装上述构件之胶体, 而于发光二极体内之晶片所形成之平面至胶体顶 缘处形成光放射区,而晶片平面至胶体底部平面处 为光流动区,其中: 由胶体底部延伸一导射区,该导射区具有一令光线 由光放射区之晶片所呈平面处对应折射至导射区 形成全反射之反射曲面。 2.如申请专利范围第1项所述发光二极体之光源折 射结构,其中该反射曲面为自由曲面者。 3.如申请专利范围第1项所述发光二极体之光源折 射结构,其中该反射曲面为球面者。 4.如申请专利范围第1项所述发光二极体之光源折 射结构,其中该反射曲面由复数间隔平面所构成者 。 5.如申请专利范围第1项所述发光二极体之光源折 射结构,其中该反射曲面由多环带状面所构成者。 图式简单说明: 第一图:现有技术一之剖视示意图 第二图:现有技术二之剖视示意图 第三图:现有技术三之剖视示意图 第四图:现有技术四之剖视示意图 第五图:本创作实施状态一之剖视示意图 第六图:本创作实施状态二之剖视示意图 第七图:本创作曲面实施例图(一) 第八图:本创作曲面实施例图(二) 第九图:本创作曲面实施例图(三)
地址 台南市北区长荣路4段183巷46号