半导体结构及其形成方法、横向扩散P型金氧半电晶体SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND LATERALLY-DIFFUSED PMOS

摘要

本发明系关于一种半导体结构，包括设置于半导体基板上之埋层，埋层系第一型掺杂。第一磊晶层形成于埋层上，其系第二型掺杂。第二磊晶层形成于埋层上，其系第二型掺杂；隔离结构设置于埋层上并设置于第一磊晶层与第二磊晶层之间，且该隔离结构系第一型掺杂。第一井区形成于第一磊晶层上，其系第二型掺杂；第二井区形成于第二磊晶层上，其系第二型掺杂；以及第三井区形成于隔离结构上并设置于第一井区与第二井区之间，且该第三井区系第一型掺杂。隔离结构与埋层及第三井区交界，以实质阻挡第一井区与第二井区之漏电流路径。