| 发明名称 | 镀敷装置、镀敷方法及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种镀敷装置、镀敷方法及半导体装置的制造方法，用一根输送导轨形成多种组合的镀膜，且期望在引线架及引线表面形成高品质膜厚均匀的镀膜。该镀敷装置将多个镀敷浴槽设置在输送导轨之下，在该镀敷浴槽设置镀液收纳浴槽。通过使镀液在镀敷浴槽和镀液收纳浴槽移动，可选择在导电部件21形成的镀膜。由此，可用一根输送导轨在导电部件21上形成多种组合的镀膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1318651C | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN01823360.0 | 申请日期 | 2001.12.12 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 龟山工次郎 |
| 分类号 | C25D7/00(2006.01);C25D7/12(2006.01);C25D17/00(2006.01);C25D17/08(2006.01);C25D19/00(2006.01);H01L23/50(2006.01) | 主分类号 | C25D7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置的制造方法，在以Cu或Fe-Ni为主材料的引线上形成由Sn金属和Bi金属的合金构成的第一镀膜层，在引线最表面形成由Sn金属和Bi金属的合金构成的镀膜层，其特征在于，所述第一镀膜层相对于所述Sn金属含有1重量％程度以下的所述Bi金属。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||