铝铜合金打线区防止表面坑洞处理方法

摘要

本发明系关于一种铝铜合金打线区防止表面坑洞处理方法，尤指一种改善半导体制程中铝铜合金台铝矽铜合金导体于去光阻处理后易使打线区产生坑洞之现象，而于上述去光阻作业之前，将晶片先经由快速高温与快速降温之处理程序，使铝铜合金表面几乎不含Al2Cu(θ-PHASE)成份，以解决打线区产生坑洞之现象，前述高温温度系界于４００至５５０℃为最佳者，以改善打线区之接触导电性与可靠性者。

主权项

1.一种铝铜合金打线区防止表面坑洞处理方法,由铝铜合金拟镀、上绝缘层、护盖光阻、烤乾、蚀刻、EKC去光阻等方法形成导体打线区,其特征在于:于去光阻步骤之前,先透过一次快速昇温与袂速降温之处理步骤,令铝铜合金衷面几乎不含Al2Cu成份,以防止后颖EKC去光阻造成自发性电化学反应,其快速降温以每秒6℃下绦,降温速率愈快效果愈佳。2.如申请专利范围第1项所述之铝铜合益打线区防止表面坑洞处理方法,其中该温度处理步骤的温度介于400至550℃者。3.如申请专利范围第1项所述之铝铜合金打线区防止衷面坑洞处理方法,所称铝铜材料系指:铝矽铜、铝铜合金或是含有铜之铝合金材料者。4.如申请专利范围第1或2项所述之铝铜合金打线区防止表面坑洞处理方法,其中处理温以400℃以上及550℃以下之较高温度为佳者。5.如申请专利范围第1项所述之铝铜合金打线区防止表面坑洞处理方法,其中含金溅镀温度以温度以25℃以上及550℃以下之较高温度为佳者。