| 发明名称 | 择优取向的多晶硅薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有择优取向的多晶硅薄膜的制备方法，包括：采用微电子的光刻工艺和磁控溅射镀膜方法在衬底上形成分布均匀、大小为微米量级的铝颗粒；采用磁控溅射方法在有铝颗粒的衬底上制备非晶硅薄膜；将非晶薄膜在真空中先进行2至5分钟的500℃至550℃退火，再进行20至25分钟的300℃至350℃退火，制备得到的多晶硅薄膜具有垂直于衬底的择优取向，且整个制备过程中温度不大于550℃，该方法适合于制造以普通玻璃为衬底的多晶硅薄膜太阳能电池。 | ||
| 申请公布号 | CN1967882A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200610123789.5 | 申请日期 | 2006.11.27 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 姚若河 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L31/18(2006.01) |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 何淑珍 |
| 主权项 | 1、一种择优取向的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)采用微电子的光刻工艺和磁控溅射镀膜方法在衬底上形成分布均匀的铝颗粒；(2)在步骤(1)制备的衬底上，采用磁控溅射方法制备非晶硅膜；(3)对步骤(2)制备的非晶硅膜进行两次退火，第一次退火温度为500-550℃，时间为-5分钟；第二次退火温度为300-350℃，时间为20-25分钟，获得具有垂直于衬底的择优取向的多晶硅薄膜。 | ||
| 地址 | 510640广东省广州市天河区五山路381号 | ||