| 发明名称 | 有机硅氧烷膜、使用它的半导体器件及平面显示器件以及原料液 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种延长介电常数低的有机硅氧烷膜的介电常数寿命的材料设计指南。在介电常数为2.1以下的有机硅氧烷膜中，将膜中的碳量相对硅量的元素比做成0.10以上0.55以下。 | ||
| 申请公布号 | CN1969379A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200580020360.7 | 申请日期 | 2005.06.17 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 龙崎大介;福田宏 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/312(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 熊志诚 |
| 主权项 | 1.一种有机硅氧烷膜，其介电常数为2.1以下，且至少包含硅、氧、碳、氢，其特征在于，该有机硅氧烷膜的碳量相对硅量的元素比为0.10以上0.55以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||