发明名称 在制程中半导体基板之近边缘区域形成薄膜之方法与装置
摘要 本发明利用一大气电浆源作为化学活性气体种类,再利用气体流动控制装置与电机械定位装置将产生的化学活性气体种类引导至制程中半导体基板之近边缘表面。根据选择的电浆源输入气体,允许熟悉该项技术者调整输出化学之工作,以完成材质的移除或沈积。且基板移除或沈积制程的成形系藉由控制基板与电浆源之相对移动来达到目的者。
申请公布号 TWI281199 申请公布日期 2007.05.11
申请号 TW092109291 申请日期 2003.04.22
申请人 阿奎科技股份有限公司 发明人 迈克尔大卫罗宾斯
分类号 H01L21/205(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项 1.一种在晶圆上形成薄膜之装置,包括: 一旋转基座,其上系挟持一晶圆; 一具有狭长孔之外壳,用以接收在该基座上的一晶 圆边缘; 至少一电浆源,设置于该外壳上,以产生反应性气 体流; 一第一通道,位于该外壳内且与该电浆源相通,使 反应性气体直接流向位于该外壳狭长孔中的该晶 圆; 一排气空间,位于该外壳内,以容纳该反应性气体; 一排气线,其系连接并由该排气空间延伸出去,以 便将该排气空间之反应性气体排出; 至少一第二通道,位于该外壳内且放射状地在该第 一通道中,以引导稀释/冷却气体流动至该晶圆;以 及 至少一排气通道,在该外壳内且位于该第二通道与 该第一通道之间,以自此排出该稀释/冷却气体与 反应性气体。 2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该外壳系 为一半圆形,以接收该基座上之该晶圆的主要部份 ,使之位于该狭长孔内。 3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该排气通 道系设置于该电浆源与该第一通道之间。 4.一种在晶圆上形成薄膜之装置,包括: 一旋转基座,其上系挟持一晶圆; 一具有狭长孔之外壳,用以接收在该基座上的一晶 圆边缘; 复数电浆源,设置于该外壳上,以选择性产生并引 导反应性气体流向及放射状地流出位于该外壳长 狭孔内之该晶圆边缘; 复数通道,位于该外壳内,以引导稀释/冷却气体以 朝向反应性气体之方向流至该晶圆上;以及 复数排气通道,在该外壳内且位于该通道与该电浆 源之间,以自此排出该稀释/冷却气体与反应性气 体。 5.如申请专利范围第4项所述之装置,其中该外壳系 为一半圆形,以接收该基座上之该晶圆的主要部份 ,使之位于该狭长孔内。 6.如申请专利范围第4项所述之装置,其中该复数电 浆源系包括三个电浆源分别位于该外壳之周围,以 便在该外壳内选择性地蚀刻晶圆上的聚合物、蚀 刻晶圆上的二氧化矽及沈积一封合之二氧化矽层 于晶圆上。 7.如申请专利范围第4项所述之装置,更包括一排气 空间,其系位于该外壳内,用以容纳该反应性气体, 以及一排气线,其系连接并由该排气空间延伸出去 ,以便将该排气空间之反应性气体排出。 8.一种在晶圆上形成薄膜之方法,包括下列步骤: 将一具有薄膜之晶圆设置于一旋转基座上; 引导一稀释/冷却气体放射状地流向该晶圆; 排出从该晶圆流出之该稀释/冷却气体中向下流的 稀释/冷却气体; 引导一反应性气体流向该晶圆,并放射状地流出该 稀释/冷却气体,使反应性气体与该晶圆产生反应; 以及 旋转该晶圆,以利用反应性气体之流动移除该晶圆 边缘之薄膜碎片。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,更包括旋转该 晶圆及在直线方向上移动该晶圆,并利用该反应性 气体之流动移除该晶圆薄膜上的材质,以便将该薄 膜形成一预定之形状。 10.如请专利范围第9项所述之方法,更包括引导该 反应性气体第二次流向该晶圆,并放射状地流出该 稀释/冷却气体,使该反应性气体与该晶圆产生反 应而于其上沈积一材质,并旋转该晶圆,以利用该 反应性气体的第二次流动而在该晶圆已成形之薄 膜上沈积一保护薄膜。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该保护 薄膜之厚度系介于0.1至0.3微米之间。 12.如申请专利范围第10项所述之方法,更包括收集 位于该晶圆边缘之空间内的反应性气体,并从该空 间内排出该反应性气体。 13.一种在晶圆上形成薄膜之方法,包括下列步骤: 将一具有薄膜之晶圆设置于一旋转基座上; 引导一稀释/冷却气体放射状地流向该晶圆; 排出从该晶圆流出之该稀释/冷却气体中向下流的 稀释/冷却气体; 引导一反应性气体流向该晶圆,并放射状地流出该 稀释/冷却气体,使该反应性气体与该晶圆产生反 应;以及 旋转该晶圆,以利用反应性气体沈积一材质之保护 薄膜于该晶圆边缘上。 14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该保护 薄膜之厚度系介于0.1至0.3微米之间。 图式简单说明: 第1A图为一晶圆在周围边缘区域具有剥落薄膜碎 片的部份剖视图; 第1B图为习知技术在第1A图之晶圆上覆盖一光阻层 的示意图,以解决剥落薄膜; 第1C图为习知技术将第1B图之晶圆的光阻层曝光后 的示意图; 第1D图为习知技术在第1C图之晶圆上完成光阻层后 的示意图; 第1E图为习知技术在第1D图之晶圆上进行湿或乾式 蚀刻后的示意图; 第1F图为习知技术在第1E图之晶圆上已剥除光阻层 及清洗后的示意图; 第2A图为一晶圆在周围边缘区域具有剥落薄膜碎 片的部份剖视图; 第2B图为本发明在第2A图之晶圆上移除剥落薄膜碎 片及形成原有薄膜轮廓后的示意图; 第2C图为本发明在第2B图之晶圆表面形成封合薄膜 后的示意图; 第3图为本发明蚀刻一晶圆周围边缘区域之装置的 侧视图; 第4图为第3图装置的平面示意图; 第5图为本发明之晶圆周围边缘区域在蚀刻期间的 放大示意图; 第6图为本发明在一晶圆周围边缘区域沈积薄膜之 装置的侧视图;以及 第7图为本发明之晶圆周围边缘区域在薄膜沈积期 间的放大示意图。
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