发明名称 防止产生离子的机构其灯丝短路到阴极管之方法及装置
摘要 本发明提供一种防止产生离子的机构其灯丝短路到阴极管之方法及装置,包括,一电弧室,具有一开口;一阴极管,经由此电弧室之此开口延伸至此电弧室内,其一端具有一凹槽,此凹槽是朝向电弧室之外部;一绝缘支承环置于此凹槽内之阴极管内侧壁上;以及一灯丝穿越此绝缘支承环置于此凹槽内。在灯丝与阴极管之间加装一个绝缘支承环,便于将灯丝安装在正确位置,且可以将灯丝正确固定在阴极管内的正,防止灯丝在受热膨胀后,造成移位而短路到阴极管,导致无法制造离子束,并且可以减少机台的当机时间。
申请公布号 TW460897 申请公布日期 2001.10.21
申请号 TW089120864 申请日期 2000.10.06
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 洪胜峰;曾华仁;李俊杰;蔡东泰
分类号 H01J37/08 主分类号 H01J37/08
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种防止产生离子的机构其灯丝短路到阴极管之装置,包括:一电弧室,具有一开口;一阴极管,经由该电弧室之该开口延伸至该电弧室内,其一端具有一凹槽,该凹槽是朝向电弧室之外部;一绝缘支承环,置于该凹槽内之该阴极管内侧壁上;以及一灯丝,穿越该绝缘支承环而置于该凹槽内。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该绝缘支承环之材料是由玻璃、陶瓷、高分子聚合物、或前述材料之组合中选用。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该绝缘支承环之形状是为圆柱形、三角柱形、其他多角柱形或不规则形。4.一种防止产生离子的机构其灯丝短路到阴极管之方法,该方法包括:提供一具有一开口之电弧室;提供一阴极管,该阴极管经由该电弧室之该开口延伸至该电弧室内,其一端具有一凹槽,该凹槽是朝向电弧室之外部;提供一绝缘支承环,将其置于该凹槽内之该阴极管内侧壁上;以及提供一灯丝,使其穿越该绝缘支承环而置于该凹槽内。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该绝缘支承环之材料是由玻璃、陶瓷、高分子聚合物、或前述材料之组合中选用。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该绝缘支承环之形状是为圆柱形、三角柱形、其他多角柱形或不规则形。图式简单说明:第一图系显示传统之产生离子的机构之剖面图。第二图系显示本发明实施例之产生离子的机构之分解图。第三图系显示本发明实施例之产生离子的机构之剖面图。
地址 新竹科学工业园区力行路十九号
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