| 主权项 |
1.一种具有一遮光层之基底之形成方法,该基底使用当成一相反电极基底以用于黑白显示器之薄膜电晶体阵列基底,该方法包含之步骤为:(i)在形成于一透明基底上之一透明导电层上形成一正光敏感涂覆膜,(ii)经由一只在重合于遮光层之部份具有透光性质之光罩而曝光该正光敏感涂覆膜,(iii)移开并显像曝光之涂覆膜之部份以曝光透明导电层并电沉积一深色相涂覆在至少曝光之透明导电层之一部份上以形成遮光层,及(iv)加热该遮光层,该遮光层之体积电阻率为1102至1106cm。2.一种具有一遮光层之基底之形成方法,该基底使用当成一相反电极基底以用于黑白显示器之薄膜电晶体阵列基底,该方法包含之步骤为:(i)在形成于一透明基底上之一透明导电层上形成一负光敏感涂覆膜,(ii)经由一只在不重合于遮光层之部份具有透光性质之光罩而曝光该负光敏感涂覆膜,(iii)移开并显像未曝光之涂覆膜之部份以曝光透明导电层并电沉积一深色相涂覆在至少曝光之透明导电层上以形成遮光层,及(iv)加热该遮光层,该遮光层之体积电阻率为1102至1106cm。3.一种具有一遮光层之基底之形成方法,该基底用于液晶显示器之滤色器,该方法包含之步骤为:(i)在形成于一透明基底上之一透明导电层上形成一正光敏感涂覆膜,(ii)经由一只在重合于遮光层之部份具有透光性质之光罩而曝光该正光敏感涂覆膜,(iii)移开并显像曝光之涂覆膜之部份以曝光透明导电层并电沉积一深色相涂覆在至少曝光之透明导电层之一部份上以形成遮光层,及(iv)加热该遮光层,该遮光层之体积电阻率为1106至11012cm。4.一种具有一遮光层之基底之形成方法,该基底使用当成一相反电极基底以用于黑白显示器之薄膜电晶体阵列基底,该方法包含之步骤为:(i)在形成于一透明基底上之一透明导电层上形成一负光敏感涂覆膜,(ii)经由一只在不重合于遮光层之部份具有透光性质之光罩而曝光该负光敏感涂覆膜,(iii)移开并显像未曝光之涂覆膜之部份以曝光透明导电层并电沉积一深色相涂覆在至少曝光之透明导电层上以形成遮光层,及(iv)加热该遮光层,该遮光层之体积电阻率为1106至11012cm。图式简单说明:第一图之图面为根据本发明之一黑白液晶显示装置之横截面图。 |
