| 摘要 |
<p>Предлагаемая полезная модель относится к области полупроводниковой нанотехнологии и технологии формирования элементов компьютерной памяти, в частности, к области тонкопленочного материаловедения, и может быть использована для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, а также при создании энергонезависимых перепрограммируемых запоминающих устройств. Технический результат состоит в повышении быстродействия, надежности, стабилизации памяти возможности управления характеристиками захвата и хранения зарядовой информации, увеличения объема и плотности записываемой и хранимой информации, что особенно важно для целей оптоэлектроники для преобразования разного уровня светового сигнала в пропорциональный электрический сигнал. 1 н.п. ф-лы; 1 илл.</p> |
