发明名称 在等离子体反应装置中以均匀温度冷却晶片支撑的方法
摘要 一种从RF耦合的等离子体反应装置中的工件支撑传热或者向其传热的方法包括将冷却剂放置于位于工件支撑内部的内部流通道中,并通过使冷却剂循环经过制冷环路而从冷却剂传热或者向冷却剂传热,在制冷环路中,工件支撑的内部流通道构成制冷环路的蒸发器。该方法还包括将蒸发器内部的冷却剂的热条件维持在这样一个范围内,其中工件支撑和冷却剂之间的热交换主要或完全是通过冷却剂的蒸发潜热进行的。
申请公布号 CN1959932A 申请公布日期 2007.05.09
申请号 CN200610140074.0 申请日期 2006.10.18
申请人 应用材料公司 发明人 丹尼尔·J·霍夫曼;保罗·卢卡丝·比瑞哈特;理查德·弗威尔;哈密迪·塔瓦索里;道格拉斯·A·小布什伯格;道格拉斯·H·伯恩斯;卡洛·贝拉
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/683(2006.01);C23F4/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 赵飞
主权项 1.一种管理RF耦合的等离子体反应装置中的工件支撑上的工件温度的方法,包括:将冷却剂放置于位于所述工件支撑内部的内部流通道中;通过使所述冷却剂循环经过制冷环路而从所述冷却剂传热或者向所述冷却剂传热,在所述制冷环路中,所述工件支撑的所述内部流通道构成所述制冷环路的蒸发器;以及将所述蒸发器内部的冷却剂的热条件维持在这样一个范围内,其中所述工件支撑和所述冷却剂之间的热交换主要或完全是通过所述冷却剂的蒸发潜热进行的。
地址 美国加利福尼亚州