发明名称 半导体积体电路装置
摘要 [课题]提供具备有:以合理的构成能实现高速化及高集成化之2种类的输入输出电路之半导体积体电路装置。[解决手段]具备:以第1电源电压动作的第1输入输出电路、及以比前述第1电源电压还低的第2电源电压动作之内部电路、及以比前述第1电源电压还低的第3电源电压动作之第2输入输出电路。于前述第1输入输出电路的输出电路中,以位准转换电路来将对应前述第2电源电压的讯号振幅转换为对应前述第1电源电压之讯号振幅,来驱动构成输出电路的P通道型MOSFET与N通道型MOSFET。于前述第2输入输出电路的输出电路中,与前述同样地,以位准转换电路来形成驱动讯号,来驱动形成对应前述第3电源电压的讯号振幅之输出讯号的第2及第3N通道型MOSFET。
申请公布号 TW200717779 申请公布日期 2007.05.01
申请号 TW095121909 申请日期 2006.06.19
申请人 瑞萨科技股份有限公司 发明人 户羽健夫;田中一雄;丰俊辅
分类号 H01L27/108(2006.01) 主分类号 H01L27/108(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本