半导体晶圆之研磨方法

摘要

在研磨液调整部150之研磨液调整程序，将研磨液调整为Si／O组成比为50wt％～60wt％／40wt％～50wt％，弹性率为1.4×1010Pa以上，粒径为1μm以上之矽为3000个／ml以下的状态，并利用调整之研磨液对半导体晶圆进行研磨。