| 主权项 |
1.一种液晶显示器之TFT阵列基板,包括: 一基板; 一闸极,位于该基板上; 一闸极介电层,覆盖该基板及该闸极; 一半导体层,位于该闸极介电层上,该半导体层包 括一通道; 一源极,电性连接该通道一侧之部分半导体层;及 一汲极,电性连接该通道另一侧之部分半导体层, 且该汲极在正投影面不和该闸极重叠。 2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之TFT阵 列基板,尚包括一遮光层位于该半导体层中,且邻 接该闸极介电层,该遮光层系遮住该半导体层在正 投影面和该闸极重叠以外之区域。 3.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之TFT阵 列基板,其中该遮光层系为不透明之金属所组成。 4.如申请专利范围第2项所述之液晶显示器之TFT阵 列基板,其中该遮光层和该闸极介电层间尚夹有一 光阻层。 5.如申请专利范围第4项所述之液晶显示器之TFT阵 列基板,其中该光阻层系由负光阻材料所组成。 6.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之TFT阵 列基板,其中该半导体层系在正投影面一侧突出于 该闸极,且该汲极重叠该半导体层突出闸极之部份 。 7.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之TFT阵 列基板,其中该源极系为半弧形,围绕该汲极,且两 者系相距一固定间距; 该半导体层系位于该源极和该汲极下方,且其部分 区域系在正投影面和该源极、该汲极重叠;及 位于源极和汲极间之间隙间之半导体层系为该TFT 之该通道。 8.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之TFT阵 列基板,其中该汲极系为L型; 该源极系为倒L型,且两者系相距一固定间隙; 该半导体层系位于该源极和该汲极下方,且其部分 区域系在正投影面和该源极、该汲极重叠;及 位于源极和汲极间之间隙间之半导体层系为该TFT 之该通道。 9.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器之TFT阵 列基板,其中该汲极系为矩型; 该源极系为勾型,且该源极之一部分系和该汲极相 距一固定间隙; 该半导体层系位于该源极和该汲极下方,且其部分 区域系在正投影面和部份该源极、该汲极重叠;及 位于源极和汲极间之间隙间之半导体层系为该TFT 之该通道。 10.一种液晶显示器之TFT阵列基板之制作方法,包括 : 提供一基板; 形成一闸极于该基板上; 形成一闸极介电层覆盖该基板及该闸极; 形成一遮光层于该闸极介电层表面或上方; 移除该闸极上方之该遮光层,以形成一开口暴露该 闸极介电层; 形成一半导体层于该遮光层上,并填入该开口,该 半导体层包括一通道; 形成一掺杂半导体层于该半导体层上; 图形化该掺杂半导体层及该半导体层,以使该掺杂 半导体层和该半导体层在正投影面至少一侧突出 于该闸极; 以该掺杂半导体层为罩幕,蚀刻该遮光层,以遮挡 部分该半导体层; 形成一源极,电性连接该通道一侧之部分该半导体 层;及 形成一汲极,电性连接该通道另一侧之部分该半导 体层,其中该汲极在正投影面不和该闸极重叠。 11.如申请专利范围第10项所述之液晶显示器之TFT 阵列基板之制作方法,其中形成该遮光层前,尚包 括形成一光阻层于该闸极介电层上。 12.如申请专利范围第11项所述之液晶显示器之TFT 阵列基板之制作方法,其中移除该闸极上方之该遮 光层系包括下列步骤; 以该闸极为罩幕,从该基板之背面曝光该光阻层; 及 移除未被曝光之该光阻层,同时剥离未被曝光之该 光阻层上之该遮光层。 13.如申请专利范围第12项所述之液晶显示器之TFT 阵列基板之制作方法,其中该光阻层系为负光阻, 且移除未被曝光之该光阻层系为一显影步骤。 14.一种液晶显示面板,包括: 一第一基板; 一第二基板相对于该第一基板; 一薄膜电晶体系设置于该第一基板上,该薄膜电晶 体包括: 一闸极,位于该第一基板上; 一闸极介电层,覆盖该基板及该闸极; 一半导体层,位于该闸极介电层上,该半导体层包 括一通道; 一源极,电性连接该通道一侧之部分半导体层; 一汲极,电性连接该通道另一侧之部分半导体层, 且该汲极在正投影面不和该闸极重叠;及 一液晶层夹于该第一基板和该第二基板间。 15.如申请专利范围第14项所述之液晶显示面板,尚 包括一遮光层位于该半导体层中,且邻接该闸极介 电层,该遮光层系遮住该半导体层在正投影面和该 闸极重叠以外之区域。 16.如申请专利范围第14项所述之液晶显示面板,其 中该半导体层系在正投影面一侧突出于该闸极,且 该汲极系电性连接该半导体层突出闸极之部份。 17.如申请专利范围第14项所述之液晶显示面板,其 中该源极系为半弧形,围绕该汲极,且两者系相距 一固定间距; 该半导体层系位于该源极和该汲极下方,且其部分 区域系在正投影面和该源极、该汲极重叠;及 位于源极和汲极间之间隙间之半导体层系为该TFT 之该通道。 18.如申请专利范围第14项所述之液晶显示面板,其 中该汲极系为L型; 该源极系为倒L型,且该源极和该汲极相距一固定 间隙; 该半导体层系位于该源极和该汲极下方,且其部分 区域系在正投影面和该源极、该汲极重叠;及 位于源极和汲极间之间隙间之半导体层系为该TFT 之该通道。 19.如申请专利范围第14项所述之液晶显示面板,其 中该汲极系为矩型; 该源极系为勾型,且该源极之一部分系和该汲极相 距一固定间隙; 该半导体层系位于该源极和该汲极下方,且其部分 区域系在正投影面和部份该源极、该汲极重叠;及 位于源极和汲极间之间隙间之半导体层系为该TFT 之该通道。 图式简单说明: 第1图系为习知薄膜电晶体结构的平面图。 第2A图系绘示本发明一实施例薄膜电晶体TFT阵列 基板之局部上视图。 第2B图系绘示本发明一实施例薄膜电晶体TFT阵列 基板之局部下视图。 第2C图系绘示本发明一实施例薄膜电晶体TFT阵列 基板之局部背视图。 第3A~3L图系绘示本发明一实施例薄膜电晶体TFT阵 列基板之流程示意图。 第4图系显示习知技术TFT结构和本发明一实施例TFT 结构之偏压和耦合电容Cgd关系图。 第5图系显示本发明一实施例有遮光层之TFT结构和 无遮光层之TFT结构之偏压和关闭状态电流关系图 。 第6A图系绘示本发明另一实施例薄膜电晶体TFT阵 列基板之局部上视图。 第6B图系绘示沿第6A图6B-6B'之剖面图。 第7A图系绘示本发明另一实施例薄膜电晶体TFT阵 列基板之局部上视图。 第7B图系绘示沿第7A图7B-7B'之剖面图。 第8A图系绘示本发明另一实施例薄膜电晶体TFT阵 列基板之局部上视图。 第8B图系绘示沿第8A图8B-8B'之剖面图。 |
