发明名称 | FET频带放大器 | ||
摘要 | 本发明的目的在于提供可获得高增益的FET频带放大器。AM接收机包含的FET频带放大器5由例如5级的放大器11~15和其间插入的BPF16构成。放大器11~15分别采用p沟道FET作为放大元件并作为差动放大器动作。BPF16使比整个FET频带放大器的放大频带宽的频带分量通过。通过除去由3级的放大器11~13放大的信号的低通分量,可以降低1/f噪声,通过除去高通分量可以降低热噪声。从而,BPF16的后级连接的放大器14、15不会因噪声分量引起饱和。 | ||
申请公布号 | CN1311625C | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
申请号 | CN02801151.1 | 申请日期 | 2002.02.21 |
申请人 | 新泻精密株式会社 | 发明人 | 宫城弘 |
分类号 | H03F3/195(2006.01) | 主分类号 | H03F3/195(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;王忠忠 |
主权项 | 1.一种FET频带放大器,它包括:采用FET作为放大元件的级联连接的多级放大器;插入所述多级放大器的中级、通带设定成比放大频带宽的带通滤波器,利用CMOS工艺或MOS工艺在半导体基片上一体形成所述多级放大器和所述带通滤波器,同时所述多级放大器的至少从初级到第n级为止的所述FET采用p沟道FET。 | ||
地址 | 日本新泻县 |