具有多个场板的宽能带隙晶体管

摘要

本发明公开了一种晶体管，它包含多个位于一基片上的有源半导体层，并且其源极与漏极与这些半导体层接触。在这些源极与漏极之间以及多个半导体层上形成一栅极。在这些半导体层上配置多个场板，每一场板从该栅极的边缘朝该漏极延伸，并且每一场板与这些半导体层、以及与这些场板的其它场板隔离。这些场板的最高场板电连接至该源极，并且这些场板的其它场板电连接至栅极或源极。

主权项

1.一种晶体管，包含：一有源区域，其具有一沟道；源极与漏极，它形成为与所述有源区域接触；一栅极，它形成于这些源极与漏极之间及所述有源区域上；多个间隔层；多个场板，这些间隔层的第一间隔层位于所述栅极与这些漏极和源极之间所述有源区域的表面的至少一部分上，这些场板的第一场板位于这些间隔层的所述第一间隔层上，并且这些间隔层与场板的其余间隔层与场板交替配置于这些间隔层的所述第一间隔层与这些场板的所述第一场板上，这些场板的最高场板电连接至所述源极，并且这些场板的所述最高场板下面的每一这些场板电连接至所述栅极或源极。