发明名称 介电材料之分段奈米线的低温催化形成
摘要 本发明揭示了一种形成分段奈米线之方法,该方法包含下列步骤:提供一基材;预先清洗该基材;预先处理该基材;形成并放置一催化剂在该基材之上;以及以电浆增强式化学汽相沈积(PECVD)的重复脉波沈积一介电材料,而在该催化剂之上形成分段奈米线。
申请公布号 TW200715375 申请公布日期 2007.04.16
申请号 TW095123863 申请日期 2006.06.30
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 卢东辉;陈战
分类号 H01L21/205(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国
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