半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系关于一种具有一基板(12)及一矽半导体主体(11)之半导体装置(10)，该矽半导体主体(11)包含一具有一射极区、一基极区及一集极区(1、2、3)之双极电晶体，该等区分别为一第一传导型、一与该第一传导型相反之第二传导型及该第一传导型，其中一包含该集极区或该射极区之第一半导体区(3)形成于该半导体主体(11)中，在其顶端有一包含该基极区之第二半导体区(2)，在其顶端有一包含该集极区与该射极区之另一者的第三半导体区(1)，该半导体主体(11)在该第一与该第二半导体区(3、2)间之过渡之位置处具备一压缩物，该压缩物藉由一内埋于该半导体主体(11)中之电绝缘区(26、27)得以形成。根据本发明，形成于该内埋电绝缘区(26、27)上的该半导体主体的一部分为单晶。此将使该装置之一极大的侧面小型化成为可能，且导致该电晶体之卓越的高频性能。此种装置(10)得益于其使用根据本发明之一制造方法的制造而成为可能。