一种在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法

摘要

本发明公开的在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法，采用的是射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积法，步骤如下：将玻璃基板清洗后放入反应室，反应室抽真空，并加热基板，以H₂稀释的SiH₄和CH₄气体为反应气源，CH₄/(CH₄+SiH₄)摩尔比为0～1，二种气源在缓冲室混合后引入反应室中，射频辉光放电，在基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜。本发明制备方法简单，制得的氢化非晶硅碳合金薄膜中Si－C键含量高，薄膜均匀性好，光学带隙基本稳定于2.5eV左右，电导率高。沉积在玻璃基板上的氢化非晶硅碳合金薄膜可广泛用于有源矩阵液晶显示器的电子器件、太阳能电池、光敏晶体管、发光二极管和传感器等等。

主权项

1.在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法，其特征是采用射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积法，包括以下步骤：将玻璃基板清洗后放入射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积装置的反应室中，反应室真空度抽至3×10-2～2×10-3Pa，加热基板，使基板温度为150～300℃，以用H2稀释至体积浓度为5～20％的SiH4和体积浓度为10～40％的CH4气体为反应气源，CH4/(CH4+SiH4)摩尔比范围为0～1，该二种气源分别由流量计控制输入装置的缓冲室，二种气源在缓冲室充分混合后以流量15～50sccm引入真空反应室中，在2～10Pa压力，射频功率50W～300W下，产生辉光进行反应，在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜。