| 发明名称 | 半导体集成电路装置 | ||
| 摘要 | 在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在构成小信号部(2)的第一以及第二岛区(7、8)中，在衬底(4)和外延层(5)之间形成N型的埋入扩散区(27)。而且，N型的埋入扩散区(27)与被施加了电源电位的N型的扩散区(25、26)连结。由此，在构成小信号部(2)的区域(7、8)中，由被施加了电源电位的N型的埋入扩散区(27)来区分衬底(4)和外延层(5)。其结果，可防止由于电机的反电动势而从功率NPN晶体管(3)产生的自由载流子(电子)流入小信号部(2)，可以防止小信号部(2)的误动作。 | ||
| 申请公布号 | CN1309080C | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200410082521.2 | 申请日期 | 2004.09.20 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 神田良;大川重明;吉武和广 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马莹;邵亚丽 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路装置，包括：半导体层；以及将所述半导体层区分为多个岛区的分离区，在所述多个岛区中，至少形成驱动电机的驱动元件、以及控制该驱动元件的控制元件，其特征在于：在形成所述控制元件的岛区中，形成被施加电源电位的第一导电型的埋入扩散区，配置所述第一导电型的埋入扩散区，以区分构成所述半导体层的第二导电型的半导体衬底和形成所述控制元件的区域。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||