| 发明名称 | 通过适于光掩膜制造的碳硬掩膜等离子体蚀刻铬层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种使用碳硬掩膜蚀刻铬并形成光掩膜的方法。在一个实施例中，蚀刻铬层的方法包括在处理室中设置衬底，所述衬底具有通过图案化的碳硬掩膜层暴露的铬层；提供含氯处理气体和一氧化碳至所述蚀刻室中；以及，保持所述处理气体的等离子体并通过所述碳硬掩膜层蚀刻所述铬层。通过图案化的碳硬掩膜层来蚀刻铬层的方法对于制造光掩膜来说是有用的。 | ||
| 申请公布号 | CN1940717A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610127883.8 | 申请日期 | 2006.09.27 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 阿杰伊·库马尔 |
| 分类号 | G03F1/08(2006.01);G03F1/00(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | G03F1/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵飞 |
| 主权项 | 1.一种蚀刻铬层的方法，包括：在处理室中设置衬底，所述衬底具有通过图案化的碳硬掩膜而部分暴露的铬层；提供含氯处理气体和一氧化碳至所述处理室中；保持由所述处理气体形成的等离子体；并且通过所述碳硬掩膜层蚀刻所述铬层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||